核心观点 - 美光科技高管及摩根大通分析认为，DRAM和HBM的供需紧张状况将持续至2026年之后，新产能爬坡缓慢无法跟上强劲需求增长，这将为存储器价格提供持续支撑 [1][2][3] 供需状况与价格展望 - 美光目前仅能满足关键客户中期需求的50%至三分之二 [1] - 即使爱达荷州Idaho 1晶圆厂提前至2027年中期量产，产能爬坡也是渐进式的，受物理条件制约 [1][2] - 竞争对手的新建产能要到2027年底和2028年才能陆续投产，同样面临产能爬坡限制 [1][2] - 摩根大通预测2026年DRAM平均价格将同比上涨近60% [1][3] - 供应紧张状况预计将延续至2026年之后，支撑价格进一步走强 [1][3] 需求驱动因素 - AI应用需求全面爆发，客户持续上调存储需求 [3] - 英伟达Rubin和Blackwell产品积压订单规模超过5000亿美元（覆盖至2026年底），且订单持续增加 [3] - 博通的TPU出货量不断攀升，摩根大通因此上调了CoWoS产能预测 [3] - 摩根大通预计存储器需求增速将达到30%以上，而美光预计2026年DRAM和NAND的位元出货量增长至少20%，仍无法追上需求增长 [2] - 具身智能（尤其是机器人）预计将成为存储器的“巨大”需求驱动力 [5][6] - 一台领先的人形机器人使用高达64-128GB的DRAM和1-2TB的NAND，按数百万台规模计算将带来显著的增量需求 [6] 技术发展与新增长点 - 英伟达在CES上宣布的新型推理上下文窗口存储平台，以及其他厂商开发的KV缓存管理系统，将为NAND位元需求增长开辟新通道 [4] - 美光预计基于Bluefield-4的系统配置率可能会很高，但KV缓存卸载工作不会影响客户未来几年的HBM路线图 [4]