三星电子2025年第四季度业绩 - 2025年第四季度营业利润达20万亿韩元（约合人民币965亿元），同比增长208%，高于市场预期的18万亿韩元，创公司历史最高季度营业利润 [1][2] - 第四季度销售额同比增长23%，达到93万亿韩元，连续两个季度销售额突破80万亿韩元 [2] - 业绩增长主要受AI热潮驱动，存储芯片供应紧张与需求激增推动价格上涨 [1][2] 存储芯片价格动态 - 2025年第四季度，DRAM芯片平均售价环比上涨超30%，NAND闪存平均售价环比上涨约20% [2] - 2026年第一季度DDR5价格预计环比上涨40%，第二季度预计进一步增长20% [2] - 三星电子与SK海力士已向客户提出，2025年第一季度DRAM报价将较2024年第四季度大幅上涨60%至70% [2] 存储芯片需求驱动因素 - 芯片产业产能向AI相关芯片转移，挤压了传统存储芯片的产能 [3] - 训练和运行AI模型对传统芯片与高端芯片的需求均激增 [3] - 三星电子在高带宽存储（HBM）领域进展超预期，其下一代HBM4芯片在速度与散热方面获客户高度评价 [3] 三星电子HBM业务与股价表现 - 随着HBM4进入商用阶段，预计三星电子2026年HBM出货量将增加两倍 [4] - 2025年1月8日，三星电子股价盘中最高涨超2%创历史新高，但最终收跌1.56% [4] - 三星电子股价2025年全年累计涨幅高达125%，创二十六年来最大年度涨幅 [4] 台积电先进制程供需状况 - 台积电3nm制程持续供不应求，公司已调高3nm报价并暂时停止3nm新案启动 [1][5] - 订单满载导致现有产能难以负荷，扩产速度短期内难以追上客户需求 [5] - 台积电鼓励处于规划初期的客户直接评估导入2nm制程，以利后续量产与成本配置 [5] 台积电2nm工艺前景与产能规划 - 台积电2nm工艺流片数量达到3nm同期的1.5倍，并有望凭借2nm工艺拿下全球AI加速器市场超过95%的份额 [6] - 为应对AI浪潮需求，台积电计划至2026年底将2nm工艺的晶圆月产能提升至140,000片 [6] - 摩根大通预测台积电2026年营收将同比增长30%，2027年增速维持在20%以上，核心驱动力为AI数据中心需求 [6] 台积电财务预测与资本开支 - 摩根大通将台积电2024-2029年数据中心AI收入的复合年增长率预测从53%上调至57% [6] - 预计到2029年，数据中心AI业务将占台积电总营收的40%以上（2024年占比为十几的中位数） [6] - 为应对2026至2028年的强劲需求，台积电开启新一轮资本开支上行周期，预计2026年资本开支约480亿美元，2027年将跃升至550亿美元 [6]