公司技术进展 - 公司旗下立昂东芯的pHEMT工艺可将栅长0.15微米的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片并实现商业化量产 [1] - 该集成芯片已用于低轨卫星通信领域并已实现大批量出货 [1] - 该集成芯片实现了包括功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）以及射频开关（SW）等功能 [1] 公司业务与产品应用 - 公司的pHEMT工艺产品目前已在低轨卫星通信领域实现大批量出货 [1] - 公司的氮化镓射频芯片工艺也将实现卫星领域应用作为目标 [1]