公司产能扩张举措 - 计划以18亿美元收购力积电位于中国台湾铜锣的P5厂区，交易预计在第二季度完成，并分阶段提升DRAM产量，预计在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出 [1] - 将与力积电就晶圆后段封装与组装展开合作，并支持力积电的传统DRAM产品组合 [1] - 在美国纽约州奥农多加县启动总投资高达1000亿美元的内存制造综合体建设，规划建造最多四座晶圆厂，预计2030年正式投产，产能将在随后十年内逐步释放 [1] 公司财务与市场表现 - 股价在2025年累计上涨逾240%，今年以来再度上涨近27% [2] - 预计2026财年第二季度营收为183-191亿美元，远超市场预期的144亿美元，预计调整后每股收益为8.22-8.62美元，远超市场预期的4.71美元 [2] - 将2026财年资本开支预期从180亿美元提高至200亿美元 [2] - 公司董事Teyin Liu购入2.32万股普通股，交易规模为780万美元，价格区间为每股336.63美元至337.50美元，交易完成后直接持有25,910股公司股票 [3] 存储行业周期与需求 - 存储行业在人工智能基建浪潮推动下进入上行周期，2025年迎来“超级周期” [2] - AI服务器对存储容量和带宽的需求远超普通服务器，同时行业产能向高端存储产品（如HBM）倾斜，挤压传统存储产品产能，引发整个存储行业涨价潮 [2] - 行业“超级周期”有望持续至整个2026年，并可能至少延续至2027年，真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现 [2][3] 存储芯片价格展望 - 花旗集团分析师预计，受AI智能体普及和AI CPU内存需求激增驱动，存储芯片价格将在2026年出现失控式上涨 [3] - 花旗将2026年DRAM的平均售价涨幅预期从53%上调至88%，NAND的涨幅预期从44%上调至74% [3] - 野村分析师建议投资者在2026年继续超配存储龙头，把握“价格—利润—估值”三击的投资主线，而非仅关注HBM单一题材 [3]