行业供给与产能影响 - 美光科技计划以18亿美元收购力积电铜锣厂房（不含生产设备），双方将建立长期DRAM先进封装代工关系 [1] - 此次合作有利于美光增添先进制程DRAM产能，并提升力积电的成熟制程DRAM供应 [1] - 预估2027年全球DRAM产业供给将有上修空间 [1] 美光科技的产能扩张战略 - 2025年下半年开始，ASIC和AI推理分别带动HBM3e、DDR5需求，推升整体DRAM利润率，促使美光加速扩充产能 [1] - 收购的铜锣厂包括土地、厂房及无尘室，美光计划在2026至2027年分批移入设备，以DRAM先进制程的前段设备为主，并于2027年投入量产 [1] - 预估铜锣一期在2027年下半年可贡献的产能，将相当于美光2026年第四季全球产能的10%以上 [1] - 2025年第三季美光在全球DRAM产业的营收市占率为25.7%，排名第三 [2] - 2024年起AI带动HBM、DDR5、LPDDR5X等先进制程DRAM产品需求，美光持续执行美国ID1、新加坡HBM后段产能建设 [2] - 在铜锣厂之前，美光已收购友达台南厂2座、友达晶材台中厂房及Glorytek台中厂房，用于晶圆测试、金属化、HBM TSV等用途 [2] - 美光还规划将部分新加坡NAND Flash无尘室改用于DRAM金属化 [2] 力积电的技术与市场获益 - 力积电现有DRAM产能主要采用25nm、38nm制程，其DDR4产线暂时止步于容量较小的产品 [3] - 与美光签署合作意向书后，预计未来一年内将获得美光授权1Y nm制程，后续有机会再取得1Z nm制程授权，从而支持其提升DDR4产品容量 [3] - 此举有利于力积电保持在消费级DRAM市场的制程竞争力，同时扩大位元产出，且不与美光的先进产品线竞争 [3]