行业技术演进与竞争格局 - 高带宽内存技术竞赛进入白热化阶段，存储芯片巨头正加速向定制化HBM4E领域布局[1] - 行业重心正迅速从以标准化产品为主的HBM4，向聚焦定制化的HBM4E及未来的HBM5转移[1] - 主要内存制造商在下一代技术研发进度上并未拉开显著差距，三星、SK海力士和美光预计在相近时间节点完成定制HBM4E开发[1][4] - 行业普遍预期，HBM4E将于2027年正式投放市场，而HBM5预计将在2029年面世[1] - 战略转向反映了高性能计算市场对差异化硬件需求的激增，并将重塑存储厂商与代工厂的合作模式[2] 三星电子战略与进展 - 三星电子已显著加大研发投入，预计将在2026年5月至6月间完成其定制HBM4E的设计工作[1][3] - 公司采取激进策略，分别为标准化和定制化设计设立了专门的HBM团队，并增聘了250名工程师专门服务于定制项目[1] - 目标客户涵盖谷歌、Meta和英伟达等科技巨头[1] - 公司已进入基础裸片的后端设计阶段，该阶段约占整个10个月设计周期的60%至70%[3] - 在制程工艺上，三星计划实现更大跨越，今年商用的HBM4逻辑裸片采用4nm工艺，而针对定制化HBM计划进一步采用2nm节点[3] SK海力士战略与进展 - SK海力士正与台积电紧密合作开发下一代HBM基础裸片及其他先进产品[4] - 公司与SanDisk合作推动高带宽闪存的国际标准化[4] - 在工艺选择上，针对主流服务器基础裸片将采用台积电的12nm工艺，而针对英伟达旗舰GPU和谷歌TPU等高端设计，则将升级至3nm工艺[4] 美光科技战略与进展 - 美光已委托台积电制造其HBM4E的基础逻辑裸片，目标是在2027年实现生产[4] - 为控制成本，美光仍坚持使用现有的DRAM工艺，这被视为在定制HBM竞赛中的结构性劣势[4] - 行业观察人士普遍认为，美光在这一领域的步伐可能落后于三星和SK海力士[4] 技术细节与驱动因素 - 基础裸片在HBM架构中扮演核心角色，负责控制堆叠DRAM的数据读写操作及错误校正[3] - 客户越来越多地要求在基础裸片中集成额外的逻辑功能，这直接推动了定制化HBM的需求[3] - 随着基础裸片集成的逻辑功能日益复杂，先进制程技术的引入成为关键[2]