文章核心观点 - 2026年是高带宽内存（HBM）发展的关键年份，HBM4产品进入全面量产冲刺阶段，三大存储巨头（SK海力士、三星、美光）均已展示并计划在2026年大规模出货其HBM4产品 [1] - 三大公司在HBM4的技术路径、产能布局和供应链策略上存在显著差异，行业竞争格局加剧，同时为满足AI驱动的爆发性需求，各公司正以前所未有的力度推进全球产能扩张 [1][15][20] HBM4产品技术亮点 - SK海力士HBM4：采用16层堆叠，容量达48GB，整体带宽突破2TB/s [3]；其技术亮点包括自研的MR-MUF封装技术，将单颗DRAM晶圆减薄至30微米 [8]；并与台积电合作，将12纳米逻辑芯片集成到HBM4的基础芯片中 [8] - 三星HBM4：采用1c DRAM工艺技术和混合键合封装技术，是唯一在自有晶圆厂完成DRAM、逻辑芯片制造及3D封装全链条的供应商 [9]；其首款36GB HBM4带宽为2.4TB/s，并计划发布带宽达3.3TB/s的新款产品，较上一代提升37.5% [10]；在博通主持的测试中，其HBM4运行速度达到中低段11Gb/s水平，表现位列三大厂商之首 [9] - 美光HBM4：12层堆叠，已向客户交付的样品带宽超过2.8TB/s，数据速率突破11Gb/s [14]；其技术关键包括成熟的1b DRAM、自研的先进CMOS基地芯片以及与台积电合作生产逻辑芯片 [14]；美光的HBM4E计划在2027年上市 [14] 产能格局与扩张计划 - 当前产能（截至2025年底）：三大厂商的DRAM晶圆月加工能力分别为：三星65.5万片，SK海力士54.5万片，美光34万片 [19]；其中用于HBM的TSV工艺晶圆月加工能力分别为：三星15万片（占其DRAM总产能23%），SK海力士15万片（占28%），美光5.5万片（占16%） [19] - 2026年底产能预测：DRAM晶圆月加工能力预计分别为：三星67万片（同比增长1.5万片），SK海力士60万片（同比增长5.5万片），美光36万片（同比增长2万片） [19]；TSV（HBM）晶圆月加工能力预计分别为：三星15万片（与去年持平），SK海力士20万片（同比增长5万片），美光10万片（同比增长4.5万片） [28] - 公司具体策略： - SK海力士采取“HBM3E+HBM4”双代并行策略，已锁定2026年全部DRAM与NAND产能的客户需求，预计全年DRAM出货量同比增长超20%，并判断HBM供应紧张将持续至2027年 [19] - 美光预计2025年至2028年全球HBM总潜在市场规模将从350亿美元增至1000亿美元，复合年增长率约为40% [20]；计划在2026年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆 [20] - 三星的扩张步伐相对谨慎，其TSV产能预计在2026年底与2025年持平 [28] 全球制造与封装布局 - SK海力士全球布局： - 韩国利川的M10工厂承担HBM内存封装任务，M16工厂专注于生产DRAM产品 [21] - 韩国清州的M15X工厂已提前至2026年2月量产，初期月产能约1万片，目标到2026年底提升至5.5万–6万片，同时生产HBM3E与HBM4 [21]；计划投资19万亿韩元建设P&T7先进封装后端晶圆厂，预计2027年底竣工 [23] - 启动龙仁半导体集群项目，总投资600万亿韩元，首座工厂预计2027年5月投产 [23] - 美国印第安纳州投资38.7亿美元建设先进封装中心，计划2028年下半年运营 [23] - 中国无锡厂是其存储芯片生产主力，占全球DRAM总产量的30%–40%，月产能达18万–19万片12英寸晶圆 [23] - 三星全球布局： - 韩国平泽P4工厂被指定用于1c DRAM的量产，计划用于HBM4等高端产品 [24]；计划于2026年Q1敲定最终供应合同，Q2启动正式量产交付 [25] - 美国奥斯汀工厂生产逻辑芯片，泰勒工厂准备生产基于2nm工艺的特斯拉AI6芯片 [24] - 美光全球布局： - 在新加坡投资70亿美元建设专门的HBM先进封装工厂，原计划2026年开始运营 [26] - 在日本建广岛工厂专门生产HBM芯片，2025年5月动工，预计2028年左右规模化出货，日本政府提供最多5,360亿日元补贴 [26] - 在美国投资1000亿美元建设大型晶圆厂综合体，其中两座已动工，预计2030年开始投产 [27]；并计划在爱达荷州博伊西市建设第二座内存制造工厂 [27] - 以18亿美元现金收购力积电苗栗铜锣P5晶圆厂，交易预计2026年Q2完成，以应对当下生产需求 [27]