什么是NOR Flash？ NOR Flash的发展始于上世纪80年代，1988年相关技术率先由东芝的富士雄研发，后经Intel推动产业化，彻底打破了此前EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory，电可编程序只读存储器）和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory，电可擦只读存储器）一统只读存储器 市场的格局。紧随其后的1989年，东芝推出NAND Flash，二者形成鲜明互补：NOR侧重代码存储，而NAND Flash以高存储密度、低成本为优势，主导大 容量数据存储。 NOR Flash的特点是采用并行寻址结构，芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在闪存内运行，无需加载至系统RAM，且具备长 数据保留时间、耐热、低功耗、擦写寿命长（约10万次）等特性。尽管其存储密度低、单位容量成本高，写入与擦除速度较慢，但在小容量、高可靠性、 快速响应的场景中具有不可替代性，早期主要应用于功能机等设备的固件存储，如今已逐步拓展至更广泛的专业领域。 闪存包括NOR ...