核心观点 - 高盛警告市场正面临过去15年来最严重的存储芯片供应短缺，预计2026-2027年DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口将大幅扩大 [1] - 服务器需求（尤其是AI驱动）是支撑行业景气的核心动力，即使PC和智能手机需求大幅下滑，市场紧张格局仍将维持 [1][3][11] - 行业景气度确定性高，但个股估值分化加剧，三星电子和SK海力士等标的被认为比美光更具配置价值 [1][12][13] DRAM市场供需分析 - 供应缺口创纪录：预计2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达4.9%和2.5%，其中2026年的短缺将是过去15年最严重的一次 [2] - 需求结构剧变：服务器需求成为核心驱动力，预计2026/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求增长39%和22% [3] - 包含HBM后，服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53%和57% [3] - 传统需求疲软：预计2026年移动DRAM需求增速将放缓至7%，PC DRAM需求增速为5% [4] - 高盛将2026/2027年移动DRAM需求预期下调7%/7%，PC DRAM需求预期下调3%/5% [4] - 供应增长受限：预计2026/2027年全球DRAM供应增长21%/19%，仅较前预期小幅上调 [4] - 产能扩张受限主因主要供应商洁净室空间有限，三星P5和海力士龙仁工厂可能要到2027年下半年才能量产 [5] NAND市场供需分析 - 供应缺口显著：预计2026/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%，这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一 [5] - 企业级SSD需求强劲：预计2026/2027年企业级SSD需求增长58%/23%，占全球NAND需求比重将升至36%/39% [5] - AI创造新增量：英伟达ICMSP架构将创造大量新增需求，仅Rubin平台就将在2026/2027年带来29EB/79EB的增量NAND需求，占总需求的3%/6% [6] - 消费端需求疲软：预计2026年移动NAND需求将首次出现零增长，PC端客户SSD需求在2026年同样预计零增长 [7] - 高盛将2026/2027年移动NAND需求预期下调6%/7% [7] - 供应增长温和：预计2026/2027年全球NAND供应增长18%/18%，供应商更注重技术迁移而非晶圆产能增加 [7] HBM市场展望 - 市场规模上调：将2026/2027年HBM总体可寻址市场预期上调至540亿美元/750亿美元 [8] - ASIC需求加速：预计ASIC将在2026/2027年占HBM需求的33%/36% [9] - 高盛将2026/2027年ASIC的HBM需求分别上调27%/14% [9] - 供需持续紧张：尽管产能预期上调，但需求上调幅度更大，预计2026/2027年HBM行业供不应求幅度将达5.1%/4.0% [9] - 预计到2026年底行业HBM产能将达到约51.5万片/月，2027年底达到59.5万片/月 [9] - 厂商表现分化：三星HBM业务在2026年预计增长157%，收入将接近150亿美元 [9] - SK海力士预计将保持约52%的市场份额领先地位 [9] 成本与需求韧性分析 - BOM成本飙升：预计到2026年三季度，iPhone的DRAM和NAND成本将占总BOM约23%，为2010年以来最高 [10] - 三星Galaxy S系列的存储器成本占比预计将达到约29% [10] - PC（以戴尔XPS系列为样本）存储器成本预计将达到总BOM的17% [11] - 需求具备韧性：即使在智能手机出货量同比降11%、PC出货量降10%的极端负面情景下，2026年DRAM需求增长仍能达到21%，行业供不应求仍有1.7% [11] 主要公司观点 - 三星电子：因其在传统存储器领域的超大敞口成为关键受益者，预计2026年传统DRAM定价同比上涨约176-184%，运营利润率达71% [12] - 预计2026年营业利润同比增长逾四倍，达到180万亿韩元以上，ROE接近30% [12] - SK海力士：预计2026年DRAM运营利润率接近80%、NAND超过40%，ROE预计将超过70% [12] - 美光科技：评级被下调至中性，目标价235美元，理由为“大部分利好已被价格消化” [1][13] - 尽管认可其HBM执行能力，预计占据约20%市场份额，但认为当前估值下风险回报大致平衡 [13] - 设备供应商：东京电子在领先DRAM制造工具中拥有较高市场份额 [13] - Ulvac是DRAM（特别是三星）资本支出的关键受益者 [13] - Disco在HBM研磨和切割工具中占据主导市场份额 [13]