文章核心观点 - 英伟达下一代AI加速器面临HBM4存储芯片供应挑战，可能被迫放宽技术规格要求，优先确保供应稳定性而非极致性能，并可能采取双轨采购策略 [1][5] 供应链与技术挑战 - 主要存储芯片供应商在HBM4的产能扩张和良率提升上遭遇双重阻力，可能影响英伟达下一代代号为Rubin的AI芯片量产 [1] - 即使行业领先者，要在满足英伟达设定的11.7Gbps最高规格的同时保证大规模供货，仍面临巨大挑战 [1] - 三星电子1c DRAM的良率估计在60%左右，计入后端封装后有效良率将进一步下降 [3] - SK海力士在HBM4的早期可靠性评估中，在达到11Gbps级别的性能表现上遇到困难 [4] 供应商动态与产能 - 三星电子在HBM4资格测试中领先，但量产良率存隐忧，其去年底的1c DRAM月产能约为6万至7万片晶圆，不足以覆盖英伟达全部需求 [3] - SK海力士已获得英伟达HBM4约60%的分配份额，但正致力于通过硬件改进解决性能短板 [4] - 今年存储芯片短缺状况预计比去年更为严峻 [2] 英伟达的潜在策略调整 - 英伟达可能采取更为务实的做法，即在采购最高规格HBM4的同时，并行采购略低规格的版本，以平衡性能需求与供应链安全 [1] - 英伟达不仅会采购11.7Gbps的顶级HBM4，还可能并行采购10.6Gbps等略低规格的版本 [5] - 策略调整旨在降低供应商技术压力，使主要厂商更可能实现规模化供货，被视为确保持续供应稳定性的必要举措 [5] 市场与竞争格局影响 - 英伟达的采购决策将直接重塑存储芯片市场的竞争格局 [2] - 能否在放宽后的规格下实现稳定交付，将成为三星、SK海力士等供应商争夺市场份额的关键 [2] - 确保下一代AI基础设施按时交付至关重要 [5]