行业技术演进 - 存储芯片行业正经历技术迭代 HBM技术持续进化 同时新型内存HBF的商业化进程正在加快[1] - HBF技术的标准化启动 标志着下一代存储架构的竞争进入实质阶段[2] - HBF的出现是为了解决AI推理时代存储架构的瓶颈 旨在填补HBM与SSD之间的空白 提供兼具高带宽、大容量与高性价比的解决方案[2] HBF技术解析 - HBF是一种经架构重构与封装优化的新型存储半导体 借鉴HBM的3D堆叠技术 将存储介质替换为NAND闪存 并通过硅通孔技术实现高速数据传输[3] - 其采用CMOS直接键合到阵列设计 实现独立访问的存储器子阵列 大幅提升数据并行访问能力[3] - 单堆栈HBF容量可达512GB 8个堆栈可实现4TB容量 足以高效支撑大模型参数的高速读取需求[3] 市场应用与产业协同 - HBF并非要取代HBM 而是与之协同构建高效AI存储架构 HBM负责延迟敏感型任务 HBF专注于大容量顺序读取工作[4] - SK海力士推出的“H3混合架构”验证了该逻辑 仿真测试显示其每瓦性能较纯HBM方案最高提升2.69倍 在1000万token场景下并发查询量提升18.8倍 GPU使用量大幅减少[4] - 全球存储巨头纷纷加码布局 SK海力士与闪迪联手推进标准化 三星电子也已加入阵营 共同推动产业协同[6] 商业化前景与时间线 - 三星与闪迪计划在2027年底至2028年初 将HBF技术集成至英伟达、AMD、谷歌的相关产品中[6] - 闪迪预测首批HBF产品将于2026年下半年出样 搭载HBF的AI推理设备则将于2027年初出样[6] - 业界预计HBF的市场需求将于2030年进入快速增长通道 2038年市场规模有望超越HBM[6] 当前挑战 - HBF存在NAND闪存写入速度偏慢的固有短板 在缓存动态更新场景中可能影响用户体验[7] - HBF与现有GPU架构的兼容性、封装复杂度及设备散热等问题 仍需整个行业协同攻关解决[7]
海力士+闪迪,存储芯片巨头力推 HBF 标准化