文章核心观点 - 三星电子正与英伟达合作，加速开发下一代铁电体NAND闪存芯片，双方联合研究团队开发的分析模型比现有模型快10,000倍以上 [1] 合作与研发进展 - 三星电子正与英伟达合作，加速开发下一代NAND闪存芯片，合作方还包括佐治亚理工学院 [1] - 联合研究团队开发了一种“物理信息神经算子”模型，用于分析铁电体基NAND设备的性能 [1] - 该模型的分析速度比现有模型快10,000倍以上，相关研究成果已经公布 [1] - 基于研究发现，三星正与英伟达就铁电NAND的开发与商业化展开合作 [1]