投资评级 - 报告给予公司"买入"评级，目标价为66.78元/股 [1] 核心观点 - 公司深耕碳化硅（SiC）衬底环节，专注于SiC单晶衬底的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、新能源汽车、光伏储能等领域。随着临港工厂提前达产，导电型衬底批量出货，营收持续增长，业绩拐点已至，1-3Q24营收和归母净利分别同比+55%和+310% [1] - 短期SiC衬底价格大幅下降，主要由于全球6英寸SiC衬底产能快速释放，新能源汽车需求阶段性放缓，价格竞争主要系国内产能迅速扩张、不同厂商之间良率显著差异导致合同履约不稳定。未来6转8英寸或成为降本关键，公司率先实现大尺寸衬底技术突破，以液相法长晶和业内首发的12英寸衬底巩固行业领先地位，有望在规模效应的逐步显现实现成本优化，从而保持竞争优势 [1] - 中长期来看，SiC衬底与传统硅衬底的价差逐步缩小，有利于SiC对下游应用加速渗透。根据SMM 2023年的预测，2028年汽车在SiC中的下游占比将由2023年的65%增长至为86%。全球汽车消费疲软，中国电动化景气度持续为SiC的成长提供优质土壤。目前SiC衬底市场仍由海外大厂主导，国内企业奋起直追，根据富士经济统计，23年全球导电型衬底市场中，公司市占率超过Coherent跃居第二 [1] 盈利预测 - 未考虑简易定增的实施，预测公司20242026年分别实现营业收入16.81/23.00/30.99亿元，分别同比+34%/+37%/+35%，实现归母净利润1.90/3.19/4.48亿元，同比+537%/+68%/+40%，对应EPS为0.44/0.74/1.04元 [1] 行业趋势 - SiC衬底价格的短期下降是由技术提升和规模效应推动衬底成本的下降，从中长期来看，SiC衬底与传统硅衬底之间的价差逐步缩小，将有利于SiC器件对下游应用的加速渗透 [148] - SiC衬底价格的短期下降是由技术提升和规模效应推动衬底成本的下降，从中长期来看，SiC衬底与传统硅衬底之间的价差逐步缩小，将有利于SiC器件对下游应用的加速渗透 [150] 公司发展 - 公司深耕碳化硅（SiC）衬底环节，专注于SiC单晶衬底的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、新能源汽车、光伏储能等领域。随着临港工厂提前达产，导电型衬底批量出货，营收持续增长，业绩拐点已至，1-3Q24营收和归母净利分别同比+55%和+310% [1] - 公司拟通过简易定增加大对车规级8英寸导电型SiC衬底产能的投入。2024年7月公司公告了以简易程序向特定对象发行股票的预案，此次发行的发行对象不超过35名（含），为符合中国证监会规定的证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、保险公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者等机构投资者，以及符合中国证监会规定的其他法人、自然人或者其他合法组织。股票的发行数量按照募集资金总额除以发行价格确定，不超过发行前公司总股本的30%，即此次发行的股份数量上限为128,913,313股，具体发行股票数量尚未确定，对应募集资金金额不超过人民币3亿元 [124] 技术优势 - 公司率先实现大尺寸衬底技术突破，以液相法长晶和业内首发的12英寸衬底巩固行业领先地位，有望在规模效应的逐步显现实现成本优化，从而保持竞争优势 [1] - 公司布局液相法多年，目前在该领域获得了低贯穿位错和零层错的SiC晶体。根据公司公告，2023年公司宣布业内首创完成8英寸导电型SiC衬底的液相法制备，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了SiC单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题 [89] 市场竞争 - 目前SiC衬底市场仍由海外大厂主导，国内企业奋起直追，根据富士经济统计，23年全球导电型衬底市场中，公司市占率超过Coherent跃居第二。Wolfspeed虽多年市占率第一，但受到来自国内衬底公司的竞争压力，市场份额持续下滑 [1] - 根据富士经济的报告，在2023年全球导电型SiC衬底材料市场占有率排行中，公司已经超过美国Coherent（原名II-VI），跃居全球第二。另一家中国公司天科合达（TankeBlue）则市场份额位列第四 [109] 财务表现 - 公司20242026年分别实现营业收入16.81/23.00/30.99亿元，分别同比+34%/+37%/+35%，实现归母净利润1.90/3.19/4.48亿元，同比+537%/+68%/+40%，对应EPS为0.44/0.74/1.04元 [1] - 2024年前三季度公司实现收入12.81亿元 (同比+55.34%)，实现归母净利润1.43亿元 (同比+309.56%) [118] 行业应用 - SiC衬底与传统硅衬底的价差逐步缩小，有利于SiC对下游应用加速渗透。根据SMM 2023年的预测，2028年汽车在SiC中的下游占比将由2023年的65%增长至为86% [1] - SiC MOSFET在新能源汽车主驱逆变器中相比硅基IGBT优势明显，虽然当前SiC器件单车价格高于IGBT，但SiC器件的优势可降低整车系统成本 [159] 行业政策 - 政策明确提到，GaN单品衬底、功率器件用GaN外延片、SiC外延片，SiC单晶衬底等第三代半导体产品进入目录 [77] - 纲要提到"集成电路"领域，特别提出SiC、氮化镓等宽禁带半导体即第三代半导体要取得发展 [77]