报告行业投资评级 - 增持（维持） [1] 报告的核心观点 - 算力需求爆发与外部对 HBM 在带宽等环节的管制，将刺激国产 HBM 的突破和供应 [5] - 测试机、键合解键合、CMP 环节弹性最大，国产 HBM 的突破将落在今年下半年，预期今年 HBM 扩产量级有望实现 5000 片的 8 层晶圆 [5] - 国产 HBM 扩产利好前道设备，对应 DRAM 扩产产生新增量，此次 HBM 扩产对应 4 万片的底层 DDR5 扩产，约 350 亿的设备资本开支增量 [5] - 设备环节推荐受益较多、订单弹性最大的精智达 [5] 根据相关目录分别进行总结 行业发展刺激因素 - 算力需求爆发，叠加外部对 HBM 在带宽等环节的管制，刺激国产 HBM 的突破和供应 [5] 国产 HBM 现状 - 国产存储大客户已具备 DDR5 颗粒制造能力，传输速率等核心指标达成，散热和能耗方面有提升空间，HBM3 的底层存储颗粒具备量产条件，部分设备公司拿到 HBM 相关订单，国产 HBM 扩产确定性快速加强 [5] 关键工序与扩产预期 - 各关键工序如 TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均实现国产或较容易买到，国产 HBM 突破将在今年下半年，今年 HBM 扩产量级有望达 5000 片的 8 层晶圆 [5] 扩产带来的订单增量 - 扩产为 TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机（专指 HBM 专用 CP 测试机—KGSD）环节分别带来 1.6 亿、10 亿、6 亿、4 亿、7 亿的订单增量 [5] 前道设备受益情况 - HBM 扩产对应 4 万片的底层 DDR5 扩产，约 350 亿的设备资本开支增量，对刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP 等环节分别带来 85 亿、70 亿、16 亿、11 亿的市场增量，其余前道设备也将受益 [5] 投资建议 - 设备环节推荐精智达 [5]