报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 - 美光 FY25Q3 营收、毛利率和 EPS 超指引，各业务表现良好，HBM 收入增长显著，12Hi HBM3E 预计 FY25Q4 量产，FY25Q4 收入和毛利率预计继续提升 [1][2][4] - 各终端市场需求向好，预计 2025 年 DRAM 和 NAND 位元需求增长，公司将受益于行业增长趋势 [5] - 美光在技术和产品方面具有领先优势，通过战略重组和产能投资，有望巩固市场地位并实现持续增长 [32][33] 各部分总结 行业规模 - 股票家数 507 只，占比 9.9%；总市值 89508 亿元，占比 10.0%；流通市值 75831 亿元，占比 9.4% [6] 行业指数 - 1 个月、6 个月、12 个月绝对表现分别为 6.3%、3.8%、43.5%，相对表现分别为 4.3%、4.5%、29.0% [8] FY25Q3 业绩情况 - 营收 93 亿美元，同比+37%/环比+15%，超指引上限；毛利率 39%，同比+11pcts/环比+1pct，超指引上限；净利率 23.4%，同比+13pcts/环比+1.3pcts；EPS 1.91 美金，超指引预期 [2] - DRAM 收入 70.7 亿美金，同比+50.7%/环比+15.5%，位元出货量环比增长超 20%，ASP 环比下降低个位数百分比；NAND 收入 21.55 亿美金，同比+4.4%/环比+16.2%，位元出货量环比上升约 25%，ASP 环比下降高个位数百分比 [3] - 计算和网络部门收入 50.7 亿美金，同比+97%/环比+11%，HBM 收入环比增长近 50%；存储部门收入 14.5 亿美金，同比+7%/环比+4%；移动部门收入 15.5 亿美金，同比 -2%/环比+45%；嵌入式部门收入 12.3 亿美金，同比 -5%/环比+20% [3] 终端市场情况 - 数据中心：维持 2025 年服务器市场规模增长中个位数百分比，预计 AI 服务器显著增长，12Hi HBM3E 预计 FY25Q4 批量出货 [4] - PC：下修 2025 年 PC 出货量增长至低个位数百分比，增长系 Windows 11 升级中 AI PC 加速普及 [4] - 手机：维持 2025 年智能手机出货量增长低个位数百分比，预计搭载 12GB 以上内存智能手机占比显著提升 [4] - 汽车：L2/L3 ADAS 和 AI 车载娱乐系统推动内存需求 [4] FY25Q4 展望 - 收入 107±3 亿美元，中值同比+38%/环比+15%；毛利 42%±1pct，中值同比+5.5pcts/环比+3.0pcts；EPS 2.5±0.15 美元 [5] - 预计 2025 年 DRAM 位元需求增长率高十位数百分比，NAND 位元需求增长率达低十位数百分比，中期 DRAM 和 NAND 位元需求增长 CAGR 均达中十位数百分比 [5] - DRAM 库存紧张，部分传统 DRAM 出现短缺；NAND 供给减少，预计库存显著降低；FY25Q4 公司 DOI 接近目标水位 [5] - FY25Q3 资本支出 27 亿美元，略低于预期，公司维持 FY2025 Capex 140 亿美金不变，预计 FY25Q4 显著增加投入 [5] 技术与运营 - 完成业务部门战略重组，增强与客户开展深度合作的能力；在 1 - gamma DRAM 制程节点上取得重大进展，良率提升速度超越 1 - beta 节点 [32] - FY25Q3 完成多个关键产品里程碑，包括首批基于 1 - gamma 制程的 LP5 DRAM 认证样品出货；NAND 业务方面，QLC 存储位元占比达到历史新高，基于 G9 2TB QLC NAND 的全新高性能固态硬盘产品已启动认证流程 [32] 制造情况 - 计划未来 20 余年在美国投资约 2000 亿美元，其中 1500 亿美元用于制造业务，500 亿美元用于研发；追加 300 亿美元投资，包括建设第二座先进存储芯片晶圆厂和扩建现有晶圆厂 [33] - 博伊西首座晶圆厂 ID1 预计 2027 年下半年开始首批 DRAM 晶圆产出，第二座博伊西晶圆厂 ID2 将先于纽约首座晶圆厂投产 [34] 财务情况 - FY25Q3 总营收达 93 亿美元，环比增长 15%，同比增长 37%；DRAM 营收 71 亿美元，同比增长 51%，占总营收 76%；NAND 营收 22 亿美元，同比增长 4%，占总营收 23% [45][46] - 综合毛利率达 39%，环比上升 110 个基点；运营支出 11 亿美元，环比增加 8700 万美元；运营利润 25 亿美元，运营利润率 26.8%，环比提升约 190 个基点，同比提升 13 个百分点；所得税费用 3.06 亿美元，实际税率 12.3% [48] - 非 GAAP 摊薄每股收益 1.91 美元，超出指引区间上限，环比增长 22%，同比增幅超 200%；运营现金流超 46 亿美元，资本支出 27 亿美元，自由现金流超 19 亿美元，创六年来单季新高 [50] - 截至第三财季末库存 87 亿美元，库存周转天数 139 天，环比下降 2.8 亿美元，库存周转天数环比减少 19 天；季度末现金投资规模达创纪录的 122 亿美元，总流动性为 157 亿美元，季度末总债务 155 亿美元，保持较低净杠杆率 [50] Q&A 部分 - HBM 需求未来将会增长，预计 CY2026 HBM 位元需求增长将显著超越整个 DRAM 行业的需求增长，公司已开始打造 HBM4 产品样品 [55] - 第三财季毛利率超预期改善，主要得益于销量增长、实际定价优于预期、成本管控良好以及有利的产品组合；未来毛利率有望继续提升 [56] - 公司 HBM 份额目标已提前达成，将持续优化产品组合配置；NAND 产能利用率不足状况已相应改善，但部分产线仍存在利用率不足 [58][59] - 公司正紧密协同客户推进 2026 年 HBM 供应，已送样 HBM4 并加速客户认证，12Hi HBM3E 良率爬坡顺利且量产稳定 [60] - HBM4 产能转换率高于 3 倍，展望 HBM 4E，其产能转换率将突破 4 倍；GPU 和 ASIC 两类客户均呈现强劲价值潜力 [62][63] - 各终端市场的客户库存处于健康状态，关税相关的前置拉货影响程度相对有限，客户对今年剩余时间需求环境持建设性预期 [64] - 已向多家客户交付 HBM4 早期样品，客户认证流程仍在推进，美光将按计划 2026 年满足客户量产需求 [65] - 2025 年下半年数据中心 SSD 市场表现将显著优于上半年，美光新一代数据中心 SSD 已深度适配近期发布的 AI 加速器平台，将推动 NAND 业务向高附加值领域战略转型 [66]