拓荆科技(688072):半导体设备迎来升级窗口,“薄膜沉积+三维集成”技术领先

投资评级 - 维持“买入”评级 [1][7] 核心观点 - 半导体设备行业迎来技术升级窗口,新技术与新行业爆发驱动芯片革新,高端薄膜沉积设备需求提升 [4] - 三维集成技术(如混合键合)在3D NAND、HBM、3D DRAM、CIS、3D封装、Chiplet及异质集成等多领域形成需求共振 [5] - 报告研究的具体公司在薄膜沉积与三维集成设备领域技术领先,已实现技术突破与规模化量产,核心竞争力显著提升 [3][7] 公司业绩与预测 - 2025年实现营业收入65.19亿元,同比增长58.87%,实现归母净利润9.27亿元,同比增长34.67% [3] - 2026年第一季度实现营业收入11.12亿元,同比增长56.97%,实现归母净利润5.71亿元,同比增长488.29% [3] - 预测2026-2028年营业收入分别为85.10亿元、108.98亿元、150.10亿元,对应增长率分别为30.5%、28.1%、37.7% [6][9] - 预测2026-2028年归母净利润分别为15.68亿元、24.20亿元、28.84亿元,对应增长率分别为69.2%、54.3%、19.2% [9] - 预测2026-2028年摊薄每股收益(EPS)分别为5.55元、8.56元、10.20元 [6][9] - 当前股价627.99元对应2026-2028年预测市盈率(PE)分别为113倍、73倍、62倍 [6] 公司技术与产品 - 公司在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备领域实现技术突破与规模化量产 [3][7] - 公司已形成晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品 [7] 行业驱动因素 - 全环绕栅极(GAA)、背面供电、高K金属栅、高带宽存储器(HBM)等新技术驱动芯片革新 [4] - 先进制程和三维集成结构下,先进硬掩膜和介质薄膜成为前沿芯片制造新趋势 [4] - 等离子体均匀性、高深宽比结构薄膜覆盖性、宽温域调节、减少薄膜残留等核心工艺难题对薄膜沉积设备技术创新提出更高要求 [4] - 混合键合技术赋能三维集成,解决3D NAND制造良率与成本问题,支持HBM更高堆叠层数与互连密度,提升3D DRAM带宽与存储容量并降低功耗,实现CIS芯片内高速数据缓冲 [5]

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