英特尔晶圆代工技术进展 14A工艺节点 - 14A是18A的后续节点，相当于1.4纳米，目前处于开发阶段，计划2027年推出[2][4] - 将成为业界首个采用高数值孔径EUV光刻技术的节点，台积电同类技术预计2028年推出但不使用高数值孔径EUV[4] - 已向主要客户提供早期工艺设计套件(PDK)，多家客户计划流片测试芯片[2][4] - 采用第二代PowerDirect背面供电技术，通过直接触点传输电源，比当前PowerVia方案效率更高[4] - 引入Turbo Cells技术，优化性能与能效单元组合，提升CPU/GPU关键路径速度[6][8] - 结合RibbonFET 2环绕栅极技术，实现更小工艺特征打印[8] 18A工艺节点 - 已进入风险生产阶段，计划2024年底实现大批量生产(HVM)[10] - 首发产品Panther Lake处理器预计2025年推出，Clearwater Forest推迟至2026年[11] - 业界首个同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET环栅晶体管的节点[10] - 相比Intel 3节点，每瓦性能提升15%，芯片密度提高30%[13] - 推出18A-P高性能变体，每瓦性能提升5-10%，已开始晶圆厂早期生产[15] - 开发18A-PT变体支持Foveros Direct 3D混合键合，互连间距小于5微米，优于台积电SoIC-X技术[17][19] 成熟节点与封装技术 成熟节点 - 完成首个16nm生产流片，定位为FinFET技术过渡方案[22] - 与联华电子合作开发12nm节点，计划2027年在亚利桑那州工厂投产，聚焦移动通信和网络应用[22] 先进封装 - 推出EMIB-T、Foveros-R/B等新型封装技术，支持2.5D/3D异构集成，计划2027年量产[33][36][38] - Foveros Direct 3D采用铜混合键合，实现超高带宽低功耗互连，适用于客户端/数据中心[41][44] - EMIB 3.5D整合多芯片互连与Foveros，已用于数据中心GPU Max系列SoC（含1000亿晶体管）[45] - 与安靠公司合作将先进封装技术引入亚利桑那州，增强供应链弹性[32] 制造产能与生态建设 - 全球布局制造基地，未来6-8个季度将提升现有工厂产能[55] - 成立代工Chiplet联盟，聚焦政府与商业市场，推动可互操作chiplet解决方案[60] - 生态系统覆盖EDA工具、IP模块及设计服务，合作伙伴包括新思科技、Cadence等[61] - 展示未来12x光罩芯片原型，集成AI引擎、HBM5、PCIe Gen7等前沿技术[58]