总投资超50亿!天岳先进等3个SiC项目下线、试产
氮化镓(GaN)产业动态 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电等多家企业参与编制《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 碳化硅(SiC)行业进展 天岳先进 - 济南年产500吨碳化硅单晶基地扩产项目进展顺利,可满足5000台生长炉需求,计划2025年5月设备安装调试,6月首批设备试运营[4] - 上海生产基地2024年上半年已实现年产30万片碳化硅衬底量产能力,较原计划2026年提前完成,第二阶段产能规划达60万片/年[5] - 2024年营业收入17.68亿元,同比增长41.37%,其中碳化硅半导体材料收入14.74亿元,同比增长35.72%[6] - 参与编制《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》,同光股份、三安半导体等企业共同参编[6][7] 中国台湾格棋化合物半导体 - 获台湾「金峰奖—大型企业组」十大杰出奖项,正部署8英寸SiC晶圆产能,2025年底8吋长晶炉扩至百台规模[10] - 桃园中坜新工厂总投资6亿新台币(约1.33亿人民币),规划6吋碳化硅衬底月产能5000片,2024年Q4满产[10] 昆明国兴半导体 - 碳化硅研发样品下线,项目总投资50亿元,规划建设6/8英寸单晶抛光片及外延片生产基地[11] - 预计2025年5月投产,7月完成研发中心改造,建成后年产SiC单晶抛光片和外延片300万片,目标年销售收入35亿元,净利润5亿元[13] 行业活动与资源 - 《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》已进入调研阶段[7] - 行业媒体聚焦第三代半导体动态,包括车规SiC订单、三安/意法SiC业务进展及车规GaN技术突破[16]