核心观点 - 美国对HBM及相关半导体设备的出口管制迫使国内存储厂商转向3D DRAM技术研发 [1] - 3D DRAM被视为突破DRAM物理极限和替代HBM的关键技术方向 [10][21] - 全球主要存储厂商已投入3D DRAM研发并取得阶段性成果 [11][13][16][17] - 国内厂商在3D DRAM领域加速布局以应对供应链限制 [17][18][19] HBM限制背景 - 美国商务部对带宽密度超过2GB/s/mm²的HBM实施出口管制 覆盖所有量产型号 [1] - 禁令直接影响国内AI行业对高性能存储的需求 [1] - GDDR内存(800-960GB/s带宽)和SRAM方案可作为HBM替代方案 [3] 3D DRAM技术原理 - 传统DRAM采用8F²/6F²平面结构 面临物理极限瓶颈 [7][8] - 4F²结构通过垂直堆叠晶体管使单元面积缩小33% [9] - 3D DRAM采用类似3D NAND的垂直堆叠技术 [10] - 关键技术包括晶圆键合和混合键合工艺 [10] 国际厂商进展 - 三星计划2030年前量产VCT架构3D DRAM 已制定第八代产品路线图 [11] - SK海力士展示5层堆叠3D DRAM原型 良率达56.1% [13] - 美光持有30余项3D DRAM专利 数量领先韩国厂商 [16] - Neo Semiconductor推出300层3D X-DRAM 理论吞吐达10TB/s [17] 国内厂商动态 - 长鑫存储和长江存储被报道布局3D DRAM [17] - 北京君正计划年内提供3D DRAM样品 重点解决堆叠工艺难题 [18] - 中国台湾团队开发出无电容IGZO晶体管3D DRAM结构 [19] 行业影响 - 3D DRAM可优化功耗表现并突破带宽瓶颈 [21] - 技术适用于AI PC/手机终端/AIoT等新兴场景 [21] - 全球供应链变化为国产DRAM创造替代空间 [21]