台积电疯狂建厂,细节曝光
台积电产能扩张计划 - 公司计划在2025年投资380亿至420亿美元用于产能扩张,目标是建成8座半导体制造工厂和1座先进封装工厂 [1] - 2017-2020年平均每年新建3座晶圆厂,2021-2024年增至每年5座,2025年计划新建9座(含8座晶圆厂+1座封装厂)[1] - 目前统计显示有7座新晶圆厂和1座先进封装设施正在建设或即将建设 [2] 全球工厂布局与技术节点 - 台湾Fab 20和Fab 22将在2025年下半年量产N2(2纳米级)工艺,2026年底开始生产N2P和A16(1.6纳米级)工艺 [2] - 亚利桑那州Fab 21分三期建设:一期N4/N5已量产,二期N3正在设备安装,三期A16/N2于2025年4月开建 [1][4] - 日本Fab 23二期(10nm以下工艺)和德国Fab 24一期(N12-N28工艺)正在建设中 [1][2] - 台湾Fab 25计划2025年底开建,可能用于A14(1.4纳米级)及更先进工艺 [2] 美国产能战略 - 计划将30%的N2及以上工艺产能放在美国亚利桑那州,形成独立半导体制造集群 [3] - Fab 21未来将发展为GigaFab集群,目标月产能10万片晶圆 [4] - 3号和4号模块(N2/A16)预计2025年开建,至少一个模块可能在2029年初投产 [4] 技术路线图 - 确认A16(1.6纳米级)工艺将与N2节点并行发展 [1] - 亚利桑那州工厂将覆盖N3/N2/A16全系列先进节点 [3] - 台湾工厂保持先进芯片主要产能,同时美国产能占比显著提升 [3]