DRAM市场动态 - DRAM价格近期大幅上涨，三星电子将DDR4和DDR5 DRAM价格均上调两位数百分比，SK海力士消费级DRAM价格上调约12% [1] - 标准PC DRAM (DDR4 8Gb 1Gx8)固定合同价格环比上涨22.2%至1.65美元，结束五个月低迷 [1] - 价格上涨主因包括客户在美国关税生效前囤货，以及中国"以旧换新"补贴计划提振需求 [2] - 旧款DRAM芯片价格涨幅超过新款DDR5产品，反映长期供过于求局面改善 [2] HBM市场机遇 - 高带宽内存(HBM)价格随DRAM普涨而飙升，英伟达与沙特阿拉伯达成AI芯片交易进一步刺激需求 [2] - SK海力士为英伟达提供HBM3E芯片，12层版本价格比8层高出60%以上 [3] - SK海力士预计2024年HBM总出货量达137亿千兆位，其中英伟达占比超70% [3] - 公司HBM市场主导地位有望延续至2025年 [3] NAND Flash市场变化 - 全球五大NAND原厂(三星、SK海力士、美光、铠侠与西部数据)同步减产10%-15%以调节供过于求 [4] - 减产措施叠加中美贸易政策变化，推动2025Q2内存价格超预期反弹 [4][5] - NAND Flash合约价Q1下跌15%-20%，Q2预计回升3%-8% [5] - DRAM合约价Q1下跌8%-13%(HBM仅跌0%-5%)，Q2预计反弹3%-8% [5] 行业整体趋势 - 内存市场呈现"先跌后涨"走势，Q1下跌后Q2开始回升 [5] - AI与高性能计算(HPC)应用推动HBM需求增长 [5] - 三星电子表示客户加速预产导致零部件库存消耗快于预期，为Q2业绩反弹创造条件 [2]