DRAM市场动态 - DRAM价格近期出现两位数百分比上涨 三星电子将DDR4和DDR5 DRAM价格均上调两位数百分比 SK海力士消费级DRAM价格上调约12% [1] - 标准PC DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8)固定合同价格环比上涨22.2%至1.65美元 结束五个月低迷 [1] - 价格上涨主因包括美国关税预期下的客户囤货和中国"以旧换新"补贴刺激需求 旧款DRAM涨幅超过新款DDR5 [2] HBM市场机遇 - 英伟达与沙特PIF支持的Humain公司签约建设500兆瓦AI数据中心 未来五年将提供18,000个GB300 GPU [3] - SK海力士12层HBM3E芯片价格比8层高出60%以上 公司为英伟达主要供应商 预计第二季度盈利创纪录 [3] - SK海力士2024年HBM总出货量预计达137亿千兆位 英伟达占比超70% 市场主导地位或延续至2025年 [3] NAND Flash市场复苏 - 全球五大NAND原厂(三星/SK海力士/美光/铠侠/西部数据)同步减产10%-15% 调节供过于求局面 [4] - 减产叠加中美贸易政策变化 推动第二季DRAM与NAND Flash合约价涨幅超预期 NAND Flash第一季跌幅达15%-20% [5] - 第二季NAND Flash价格预计回升3%-8% DRAM传统产品反弹3%-8% HBM同步上涨3%-8% [5] 行业趋势展望 - 半导体市场呈现"先跌后涨"走势 第一季传统DRAM价格下跌8%-13% HBM仅回落0%-5% [5] - AI数据中心建设加速推动HBM需求 英伟达Blackwell Ultra芯片提前上市加剧供应链紧张 [3] - 内存制造商库存消耗快于预期 为第二季度业绩反弹创造有利条件 [2]