中国HBM技术进展 - 中国在HBM3技术上落后全球领先者3-4年，目标在2027年生产HBM3/3E [1] - 中国DRAM技术差距从5年缩短至3年，长鑫存储已进入1z nm工艺生产DDR5 [1] - 长鑫存储HBM2客户送样进行中，预计2025年中启动小批量生产，2026年开发HBM3，2027年推出HBM3E [13] - 长鑫存储计划2025年底提供HBM3样品，2026年量产，预计2026年底HBM产能达每月1万片，2028年底扩充至每月4万片 [16] 中国半导体供应链竞争力 - 中国占全球前端半导体制造产能20%，后端制造产能40%，预计2027年全球37%晶圆制造产能集中在中国 [4] - 中国在混合键合封装时代占据强势地位，长江存储拥有119项混合键合相关专利，超过三星(83项)和SK海力士(11项) [22] - 中国已开发出具有竞争力的本土解决方案，包括射频芯片、基带、PCB、传感器、电池等多个领域 [3] - 长鑫存储2025年DRAM芯片产量可能占全球14%，实际市场份额约10% [18] GPU与HBM替代方案 - 英伟达计划推出基于GDDR7的降级版H20 GPU，预计售价6500-8000美元，2025年底前出货量100万片 [6] - GDDR7市场规模有望增加4亿美元(假设2025年出货量100万片)，主要受益方为三星 [2] - 游戏GPU可能替代HBM，若30-40%非超算客户采用工作站方案，中国游戏GPU市场CAGR有望从4%提升至10% [10] - 华为昇腾910C GPU配备8颗HBM2E，其他中国GPU厂商如壁仞科技、燧原科技也使用韩国HBM2和HBM2E [12] 技术比较与产能规划 - 长鑫存储16Gb DDR5芯片采用16纳米节点，比全球前三DRAM制造商的12-14纳米落后约3年 [17] - 长鑫存储计划2025年底将DDR5/LPDDR5产能提升至每月11万片(占全球DRAM产能6%) [18] - 在混合键合设备领域，中国玩家包括Hwatsing Technology(CMP)、Piotech和Naura(等离子激活)、Naura(退火设备)等 [25] - 混合键合技术将成为未来HBM关键，SK海力士和三星都在积极开发该技术，可能从2027年HBM4e开始采用 [26]