2025 年 5 月 26 日，大摩发布亚洲科技报告《Tech Bytes - 中国 HBM 差距缩小》指出， 中国在存储器领域的进步正在迅速推进，不仅在 DRAM 技术发展 上缩小与全球领先者的差距，高带宽存储器（HBM）技术也日益先进 。其目标是在 2027 年生产 HBM3/3E。近期改良版 H20 图形 GPU 的进展可能缩短 产品上市时间差。 差距缩小 ：大摩认为， 中国在 HBM3 技术发展上目前落后全球领先者 3-4 年， 这一差距需要通过提升本土 AI 芯片生产能力来弥补。与此同时 ，中国在 DRAM 技术上显著进步 ，且 在混合键合封装时代已占据强势地位 。根据长鑫存储（CXMT）进入 1z nm 工艺生产 DDR5 的情况，其 DRAM 技术差距已 从 5 年缩短至 3 年。 游戏 GPU 可能替代 HBM—— 填补 AI 推理差距的新选择 ：根据大摩的渠道调研，在新的美国出口限制之前，配备 HBM3 的 H20 GPU 曾是中国市场最 受追捧的加速器，主要用于中端计算和推理需求。 大摩认为，英伟达新推出的降级替代产品可能采用 GDDR7，不含先进封装技术（CoWoS）和 HBM ， 这意 ...