英特尔芯片封装技术突破 - 公司在电子元件技术大会(ECTC)上披露了多项芯片封装技术突破,包括EMIB-T、分散式散热器设计和新型热键合技术[5] - 这些技术旨在提升封装尺寸、供电能力、散热效率和连接密度,支持HBM4/4e等新技术集成[5] - 公司还参与了大会上发表的17篇新论文,展示其在先进封装领域的研究成果[5] EMIB-T技术特点 - EMIB-T在现有EMIB技术基础上引入硅通孔(TSV),提升供电效率和芯片间通信速度[12][14] - 该技术解决了标准EMIB的高电压降问题,通过TSV实现直接、低电阻供电路径,支持HBM4/4e集成[14] - 通信带宽提升至32Gb/s以上,支持UCIe-A互连技术,桥接器中集成高功率MIM电容器减少信号噪声[14][15] - 封装尺寸可达120x180mm,支持超过38个桥接器和12个矩形大小裸片[12][15] - 连接间距从第一代EMIB的55微米缩小至45微米以下,正在开发25微米间距[15] 散热技术突破 - 公司开发了分解式散热器技术,将散热器分解成平板和加强筋,改善热界面材料耦合[19] - 该技术可将热界面材料焊料中的空隙减少25%,支持TDP高达1000W的处理器封装[19] - 散热器集成微通道设计,支持液体直接冷却处理器[19] 热键合技术进展 - 新型热压粘合工艺专门针对大型封装基板,克服粘合过程中的芯片和基板翘曲问题[23] - 该技术最小化键合过程中的热差,提高良率和可靠性,支持更大芯片封装[23] - 有助于实现更精细的EMIB连接间距,提升封装密度[23] 封装业务战略 - 先进封装技术是公司代工厂战略的关键部分,为客户提供全面的芯片生产选择[32] - 封装服务允许客户集成来自不同供应商的芯片,降低完全过渡到公司工艺节点的风险[32] - 公司为完全不使用其制造组件的芯片提供封装服务,帮助拓展新客户关系[32] - 封装业务已成为外部客户的主要服务之一,客户包括AWS、思科等行业巨头和美国政府项目[28][32]
英特尔先进封装,新突破