如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 pcwatch 。 在2025 IEEE第17届国际存储器研讨会（IMW 2025）上，美光科技（以下简称"美光"）讲解了最 新的第九代（G9）3D NAND闪存技术，并展望了下一代第十代（G10）及之后的3D NAND闪存 技术（演讲编号及论文编号1.1）。我们将为您汇报此次演讲的概要。 第九代（G9）3D NAND闪存每硅片的存储容量为1Tbit，与上一代第八代（G8）产品相同，但存 储单元阵列的存储密度显著提高了40%，硅片的存储密度提高了30%，而最大数据传输速度则提高 了1.5倍。 第九代（G9）3D NAND闪存的有趣之处在于，字线层数为276层，仅比上一代（G8）的232层增 加了19%。简单的计算意味着存储单元阵列的存储密度只会增加19%。由此可见，除了层数增加之 外，通过其他创新，存储单元阵列的存储密度提升了40%。 美光存储单元阵列的存储密度（每平方毫米的位数）从第七代（ G7 ）的 17 Gbit/ 平方毫米增加到第八代 （ G8 ）的 25 Gbit/ 平方毫米，再增加到第九代（ G9 ）的 35 Gbit/ 平方毫米。 除 ...