美光第九代3D NAND闪存技术 - 第九代（G9）3D NAND闪存每硅片存储容量为1Tbit，与第八代（G8）相同，但存储单元阵列密度提升40%，硅片存储密度提高30%，最大数据传输速度提升1.5倍[1] - G9字线层数为276层，比G8的232层增加19%，但通过其他创新实现存储密度40%提升[1] - 存储单元阵列密度从G7的17Gbit/平方毫米增至G8的25Gbit/平方毫米，再到G9的35Gbit/平方毫米[3] - 水平尺寸创新包括移除虚拟柱使区块高度降低14%，页面缓冲器数量从G8的16个减至G9的6个，硅片面积缩小至G8一半[3] 存储密度提升技术 - 采用气隙绝缘和局部氮化膜（Confined SN）技术，减少相邻存储单元间干扰[5][7] - Confined SN技术使编程时间缩短10%，相邻单元耦合电容减少约50%，在10,000次重写循环后性能几乎无下降[9] - 存储单元堆栈高度超13μm，由两层组成，每层高度6.5μm，存储孔直径150nm，纵横比超43[7] 未来技术路线 - 第十代（G10）及后续技术将继续增加层数，面临更高纵横比蚀刻挑战[6] - 晶圆键合技术将成为解决方案，可分别优化外围电路和存储单元阵列性能，预计成本将低于单片CuA技术[12][14] - 可能采用铁电薄膜替代传统氮氧化物薄膜，降低介质击穿风险，反转极化所需电压显著低于NAND闪存[16] 行业趋势 - 机器学习/人工智能发展推动对更高密度3D NAND闪存需求[16] - 各大厂商在最新产品中采用阵列下CMOS（CuA）技术减少硅片面积[12] - 未来可能同时开发多种基础技术并进行选择，持续改进3D NAND闪存[16]