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打造10000平方毫米芯片,英特尔封装技术升级

芯片封装技术创新 - 公司正在开发新的芯片封装技术以支持更大的人工智能处理器 突破单个封装中硅片数量和尺寸的限制 包括改进连接技术 更精确的硅片键合方法 以及扩展散热关键部件尺寸的系统 [1] - 新技术使得在面积超过21,000平方毫米的封装内集成超过10,000平方毫米的硅片成为可能 这一面积相当于四张半信用卡大小 [1] EMIB技术升级 - 公司推出EMIB-T技术 在原有水平互连基础上增加垂直铜连接(硅通孔TSV) 减少功率损耗 并包含铜网格以降低电源噪声 [3] - 该技术允许在单个封装中使用38个或更多EMIB-T桥接器 连接相当于12个以上全尺寸硅芯片(10,000平方毫米硅片) [4] 热控制技术 - 公司开发低热梯度热压键合技术 使热膨胀失配更可预测 从而支持超大型基板上的芯片安装 或将EMIB连接密度提升至每25微米一个 [6] 散热解决方案 - 针对更大硅片组件的散热问题 公司将集成散热器分成多个部件组装 确保所有部件保持平整和固定 提高可靠性和产量 [8][9] 商业化前景 - 这些技术仍处于研发阶段 未公布具体商业化时间表 但预计需要未来几年内实现商业化以与台积电的封装扩张计划竞争 [9]