公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 thebell 。 I/O 是 内 存 与 处 理 器 之 间 传 输 数 据 的 通 道 。 HBM 相 较 传 统 DRAM ， 主 打 I/O 大 幅 增 加 这 一 特 点 ： HBM3E为1024个I/O，而HBM4达到2048个。 I/O数量增加直接导致核心裸晶尺寸扩大，进而降低单位晶圆的可产芯片数。HBM核心裸晶本身尺寸 就比普通DRAM大，很大程度上就是由于I/O数量的差异。例如GDDR的I/O数量仅为32个。 不过，尽管I/O数量增加，三星电子HBM4核心裸晶的单位晶圆产出量预计将略有上升。原因是三星 在HBM4中使用的是10nm第六代DRAM（1c DRAM），相比之下世代更先进。通常DRAM每进一个 新 世 代 ， 单 位 晶 圆 芯 片 数 都 会 增 加 。 此 前 ， 三 星 在 HBM3E 中 采 用 的 是 10nm 第 四 代 DRAM （ 1a DRAM）。 尽管单位晶圆芯片数有所改善，三星的HBM4制造成本仍可能高于竞争对手。这是因为制程复杂度提 升，1c DRAM的制造成本高于上一代产品。 因此，业界预 ...