HBM4生产成本上升原因 - 核心裸晶尺寸增加导致单位晶圆可产芯片数减少，I/O数量从HBM3E的1024个增至HBM4的2048个，直接扩大裸晶尺寸[2][3] - 基础裸晶转由晶圆代工厂生产，存储企业不再使用自家DRAM工艺，代工成本更高[4] - 制程复杂度提升，三星采用10nm第六代DRAM（1c DRAM），虽单位晶圆产出量略增，但制造成本高于上一代[3] 厂商技术差异与竞争格局 - 三星HBM4单位晶圆芯片数预计上升，因采用更先进的10nm第六代DRAM（1c DRAM），而SK海力士和美光沿用第五代（1b DRAM）[3] - 美光打破SK海力士对英伟达的HBM独占供应，其月产能从2023年底2万片增至2024年底6万片，加剧行业竞争[1][3] - SK海力士与台积电合作基础裸晶代工，仅外包后段布线工艺（BEOL），三星则使用自家代工厂[4] HBM4价格与行业趋势 - HBM4 12层堆叠产品价格预计超600美元，较HBM3 8层（200美元出头）和HBM3E 8层（300美元后段）显著上涨[3] - AI芯片公司（英伟达、AMD、微软）要求基础裸晶定制化，推动3D HBM等新型态产品开发[4] - 存储厂商难以完全转嫁成本上涨，因美光扩产加剧价格竞争，行业利润空间可能压缩[1][3]