台积电SoW-X封装技术 - 公司推出新一代封装技术SoW-X，瞄准下一代AI半导体市场，计划于2027年量产 [3] - SoW-X技术直接连接晶圆上的存储器和系统半导体，无需使用传统基板或硅中介层 [3] - 通过芯片底部精细铜重分布层(RDL)实现芯片间连接，采用InFO(集成扇出)技术 [3] - 该技术可生产超大尺寸AI半导体，集成16个高性能计算芯片和80个HBM4模块，总内存容量达3.75TB [3] 技术性能优势 - 与现有AI半导体集群相比，SoW-X可降低17%功耗并提高46%性能 [4] - 每瓦整体性能比现有AI半导体集群提高约1.7倍 [4] - 系统功率效率通过集成更多系统半导体和HBM得到提升 [4] - 可消除现有基板连接的困难 [4] 市场定位与应用 - 公司评价SoW-X为超越业界标准的创新技术平台，瞄准高性能计算和AI产业 [6] - 技术短期内对AI内存市场影响有限，因超大容量AI半导体需求目前较少 [6] - 前代SoW技术2020年推出，目前仅特斯拉和Cerebras等少数客户采用量产 [6] - 类似特斯拉Dojo专用D1芯片，SoW-X适合利基市场，技术难度高难快速取代主流封装技术 [6] 行业趋势 - 公司因尖端封装技术进步备受瞩目，顺应AI半导体向更高性能和更大面积发展趋势 [1] - 为应对趋势，公司设计了支持高达80HBM4(第六代高带宽存储器)的产品 [1] - 公司在ECTC 2025会议上公布了SoW-X具体结构 [1]