据业界消息人士12日透露，台积电上月末在美国德克萨斯州举行的"ECTC 2025（电子元件技术会 议）"上公布了其用于超大型AI半导体的"晶圆系统（SoW-X）"的具体结构。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 zdnet 。 台湾晶圆代工厂台积电（TSMC）因其尖端封装技术的进步而备受瞩目，该技术瞄准了下一代AI半导 体市场。据悉，为了顺应AI半导体向更高性能和更大面积发展的趋势，台积电已设计出一款高达80 HBM4（第六代高带宽存储器）的产品。 SoW-X是台积电计划于2027年量产的新一代封装技术，预计将应用于GPU、CPU等高性能系统半导 体，以及整合HBM的AI半导体。 SoW-X的关键在于直接连接晶圆上的存储器和系统半导体，而无需使用现有封装工艺中使用的基板 （PCB）或硅中介层（插入芯片和基板之间的薄膜）。 各个芯片之间的连接，是通过在芯片底部形成的精细铜重分布层（RDL）来实现的。此时，RDL延伸 到了芯片外部，台积电称之为InFO（Integrated Fan-Out）。 由于SoW-X利用了整片晶圆，因此可以生产超大尺寸的AI半导体。根据台积电公布的数据，S ...