公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 20世纪80年代末期，Scheuermann等率先研究了一种低温烧结技术，即通过烧结银颗粒实现功率半导 体器件与基板互连的方法，这为烧结银技术的发展奠定了基础。此后，随着科技进步，烧结银技术在 工艺优化、材料性能提升等方面取得了显著进展，逐渐从实验室研究走向实际工业应用，并在近年来 得到了广泛的关注与应用推广。 从电动汽车的高效驱动系统，到光伏发电中的逆变器，再到5G通讯的核心射频模块，以碳化硅 为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突 破1000公里、800V高压快充成为标配，碳化硅功率半导体的革命正在加速到来。而更高的功率 密度、更优的散热能力、更强的可靠性以及更高的工作温度范围等严苛要求，让传统的焊料封装 与连接技术在新的技术时代，正在被高性能、高可靠性的烧结银封装与连接技术快速取代。烧结 银技术也成为了碳化硅等第三代功率半导体芯片与模组封装的首选材料。 烧结银技术原理 1 烧结银技术概述 图源：帝科湃泰 碳化硅和氮化镓的应用领域 原子扩散是烧结银技术实现良好连接的核心机制。在低温烧结过程中，银颗粒表面的原子具有 ...