掩模成本现状与趋势 - 掩模成本在前沿领域相对晶圆制造成本占比下降，但整套掩模总成本仍高昂，因EUV光罩寿命缩短导致频繁更换[2] - EUV掩模成本仍是巨大担忧，客户更关注交付速度而非标价，降低成本策略包括提高良率、降低材料成本及利用计算工具减少实验浪费[3] - 高端逻辑芯片设计中掩模成本占总成本比例较低（1000-2000万美元 vs 数亿美元设计成本），而汽车/消费电子等低端市场对掩模成本极其敏感[4] - 行业心态转变：从反对提高掩模成本转向认可其提升晶圆质量的价值，如改进掩模关键尺寸均匀性可显著提高晶圆良率[5] 高数值孔径EUV带来的变革 - 6x12英寸掩模版若采用将颠覆整个供应链，需重新设计制造设备（写入器/蚀刻机/检测工具等）及基板生产工艺[6][7] - High NA要求更严格控制掩模分辨率（需低于4.5纳米）和吸收层堆叠定制，可能迫使行业升级产能并采用多空白材料策略[7] - ASML统一平台策略或使6x12英寸掩模版同时应用于高低数值孔径EUV设备，导致掩模厂需复制整条生产线，资本支出大幅增加[8][12] - 大尺寸掩模版可能造成行业分化，未准备转型的企业或无法获得新一代扫描仪[9][12] 未来五年技术颠覆方向 - 掩模版分辨率路线图可能停滞，供应商需寻找分辨率之外的差异化方式，如AI驱动的模型化光掩模生态系统[10] - 曲面特征广泛应用将影响数据格式/准备/检测等环节，定制化吸收层堆叠可能打破现有标准化模式[11] - 曲线工艺与大尺寸掩模版叠加将彻底改变经济效益和工具链，技术可行性需通过晶圆级效益验证[11] - 统一平台带来的基础设施变革涉及检测/蚀刻/计量全环节，行业需谨慎应对潜在分化风险[12]