财报表现 - FY25Q3营收93亿美元，同比+37%/环比+15%，超指引上限（88±2亿美元）[1][2] - 毛利率39%，同比+11pcts/环比+1pct，超指引上限（36.5%±1pct）[1][2] - 净利率23.4%，同比+13pcts/环比+1.3pcts；EPS 1.91美元，超指引预期（1.61美元）[2] - DRAM收入70.7亿美元创单季新高，同比+50.7%/环比+15.5%，位元出货量环比+20%[3] - NAND收入21.55亿美元，同比+4.4%/环比+16.2%，位元出货量环比+25%[3] 产品与技术进展 - HBM收入环比增长近50%，12Hi HBM3E良率和产能提升超预期，预计FY25Q4批量出货[3][4] - 1-gamma LP5X DRAM样品出货，性能提升25%+功耗降低20%，适配2026旗舰手机[19][24] - HBM4样品交付客户，带宽超2TB/s（较前代+60%），功耗再降20%，计划2026年量产[11][26] - G9 QLC 2TB SSD新品发布，写入性能提升4倍，QLC市场份额持续扩大[16][24] 终端市场动态 - 数据中心：CNBU收入50.7亿美元同比+97%，HBM+大容量DIMM驱动增长[3][26] - PC：下修2025年出货量增长至低个位数，AI PC渗透加速[4][16] - 手机：预计2025年出货量低个位数增长，12GB+内存机型占比提升[4][19] - 汽车：L2/L3 ADAS推动存储需求，1-beta LP5 DRAM量产就绪[20][30] 财务与运营指引 - FY25Q4指引收入107±3亿美元（中值同比+38%），毛利率42%±1pct[5][42] - 2025年DRAM位元需求预计高十位数增长，NAND需求低十位数增长[5][31] - DRAM库存紧张，NAND供给减少；FY25Q4 DOI接近目标水位[5][42] - 2025年Capex维持140亿美元，重点投入HBM产能和晶圆厂建设[5][40] 战略投资 - 宣布未来20年美国2000亿美元投资计划（含1500亿制造+500亿研发）[25] - 博伊西ID1晶圆厂2027年投产，ID2扩建加速[25] - 新加坡封装厂2027年投产，支持HBM长期增长[49] - NAND产能结构性缩减10%，聚焦高附加值产品[31][49]