英伟达主导AI数据中心电力架构革新 - 市值4万亿美元的英伟达虽不设计功率器件，但正在定义未来AI数据中心的电力电子特性和功能，主导下一代动力总成架构设计[2] - 公司联合英飞凌、MPS、Navitas等半导体供应商及台达、施耐德电气等系统商，推动向800V高压直流(HVDC)架构转型[3] 技术路线与合作伙伴动态 - 英伟达计划2027年推出Rubin Ultra GPU和Vera CPU，需突破传统54V机架配电限制，解决千瓦级机架空间与铜线过载问题[8][9] - 新800V架构要求开发800V转12V/50V高密度转换器，需兼顾功率密度、效率及外形尺寸[10] - 英飞凌指出SiC适用于高功率/高压环节，GaN更适合800V-50V高频转换，硅/GaN混合方案用于54V-6V低压转换[11] - Navitas通过收购GeneSiC强化GaN/SiC组合，正与英伟达合作48V至处理器供电方案的原型开发[15] 行业竞争与市场影响 - 英伟达的激进路线可能使开放计算项目(OPC)标准过时，导致数据中心解决方案重回非兼容状态[16] - Yole预测GaN增速将超越SiC，GaN在直流/直流转换领域机会显著，潜在市场规模远超SiC的1亿美元[19] 半导体技术趋势 - 新800V架构需发明半导体继电器以安全控制过流，替代传统机械开关[12] - 行业类比英伟达推动GaN如同"特斯拉的SiC时刻"，英飞凌、纳微等厂商竞相布局新兴GaN市场[6]