CoWoS技术回顾 - CoWoS封装流程分为三个阶段：裸片与中介层通过微凸块连接并填充保护[7] 中介层与封装基板连接[7] 切割晶圆形成芯片并连结至封装基板[7] - 最终结构包含保护环形框、盖板及热介面金属填补空隙[7] CoPoS技术分析 - 用面板级RDL层替代硅中介层 实现Base Die的板级放置[9] - 面板尺寸达510×515毫米 面积利用率显著提升 可容纳芯片数量为300毫米晶圆的数倍[11] - 目标替代CoWoS-R/L系列 但大尺寸面板面临曝光工艺挑战[11] CoWoP技术解析 结构创新 - 直接去除封装基板 通过uBump和C4 Bump连接Base Die与PCB[12] - 7nm以下工艺中C4 Bump直接连接Die存在技术难度[12] 核心优势 - 节省封装基板成本 减少工艺层级 材料费用压缩显著[14] - 信号路径缩短 提升PCIe 6 0/HBM3等效带宽利用率 延迟降低[15] - 无封装盖设计优化散热 支持液冷/热管等新型热管理技术[15] 技术瓶颈 - PCB需超高可靠性与精密度 焊接容错空间极小[16] - 无壳体保护导致热循环/机械应力下易出现裂纹[16] - 要求芯片封装厂与PCB制造商从设计阶段深度协同[16] 技术发展评估 - CoWoP属于激进方案 短期难以对PCB行业产生实质影响[17] - CoPoS尚未完全成熟 但面板化中介层是明确发展方向[11]