三星电子HBM4进展 - 三星电子第六代高带宽存储器HBM4于上个月交付英伟达并通过可靠性测试 预计本月底进入预生产阶段 若顺利最快年底实现量产[2] - HBM4将用于英伟达下一代AI加速器Rubin 预生产阶段包括验证与GPU兼容性及高温环境质量测试[2] - 三星电子若通过预生产阶段 计划11月开始量产HBM4 以缩小与SK海力士的差距[3] 三星电子HBM3E进展与市场竞争 - 三星电子12层HBM3E产品预计通过英伟达质量测试 并于本月下旬开始交付[3] - 三星电子向英伟达专为中国开发的H20提供的HBM3E价格比SK海力士低20%至30%[3] - 英伟达坚持在确认三星电子HBM3E和HBM4质量测试后再与SK海力士就HBM3E价格达成协议[3] HBM市场份额变化 - 三星电子HBM市场份额从去年同期41%下降至今年上半年17%[3] - SK海力士市场份额从55%增至62% 美光份额从4%增至21%[4] - 金融投资行业预测三星电子明年HBM销售额增长率可能翻一番以上[4] SK海力士HBM技术进展 - SK海力士于3月交付HBM4样品 6月初开始批量供货 计划10月开始量产[3] - SK海力士在GTC 2025展示12层HBM3E和HBM4原型 计划下半年量产12层HBM4芯片[5] - SK海力士已向主要客户交付全球首款12层HBM4样品并启动认证流程[6] HBM4市场前景与定价 - SK海力士预计到2030年HBM市场年平均成长率达30%[8] - HBM4 12-Hi存储单价达500美元 比HBM3E 12-Hi存储售价300美元高出60%至70%[9] - HBM4制造更复杂 需在基础芯片上采用晶圆代工厂制程 导致成本上升[9] 行业竞争与供应链策略 - 英伟达寻求多家HBM4供应商以降低价格 正进行三星和美光质量测试[10] - 三星电子可能将平泽工厂DRAM出口到美国进行HBM封装以规避关税 或宣布对德州泰勒工厂追加投资[4] - 美国潜在关税政策可能对未在美国制造半导体芯片征收100%至300%关税[10]