光刻机作为人类工业文明的巅峰之作，其技术复杂度远超常人想象。一台先进EUV光刻机包含超过10万个零部件，需要全球数千家供应商协同生产， 这种极致的全球化分工体系，恰恰成为中国光刻机研发难以逾越的障碍。 9月2日，外资投行高盛发布最新研究报告，聚焦中国半导体制造领域尤其是光刻机研发情况，指出中国在该领域面临严峻挑战，短期内难以追赶西方 先进技术。高盛在报告中抛出" 中国国产光刻机技术水平停留在65纳米，与国际大厂相比，至少落后20年 "的论断，全球半导体产业再次将目光聚焦于 这个决定芯片制造命运的关键设备。 根据2025年7月多地政府发布的制造强国建设进展通报，28纳米浸没式光刻机已完成产线验证，国产化率达到83%。这一进展意义重大，因为28纳米制 程覆盖了汽车电子、工业控制等关键领域的芯片需求，在当前全球芯片短缺的背景下，实现该制程的自主可控具有重要的战略价值。上海微电子作为 国产光刻机的龙头企业，其已量产的90纳米光刻机已广泛应用于国内晶圆厂，为成熟制程芯片生产提供了设备保障。 ASML最新一代High NA EUV光刻机已能实现2纳米制程的稳定生产，而其核心技术如极紫外光源、高精度光学镜头和双工件台系统， ...