公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 据透露，目前半导体先进制程正在研究，要将原本用硅制造的硅中介层换成用碳化硅制造，因为未来 高阶芯片计划的功耗高达1000伏特！相比之下，特斯拉快充时的电压，也只有350伏特。 来源 ：内容来自 财讯网 。 过去几个月，台湾半导体产业的碳化硅产业链快速升温，原因竟和英伟达有关。 今年5月，全球碳化硅龙头Wolfspeed宣布破产，但是，同一个月，环球晶董事长徐秀兰却表示，环 球晶将和客户共同开发碳化硅新产品。加码碳化硅市场的不止环球晶，供应链也透露，目前公司正积 极开发新产品，而这项产品可用于半导体先进制程。 据台媒报道，当全球碳化硅供应链因中国大扩产陷入寒冬时，台湾碳化硅产业却因为英伟达对GPU性 能无止境的需求，得到一个新机会。因为英伟达新一代Rubin处理器的开发蓝图中，为了提升效能， 计划把硅中介层的材料，由硅换成碳化硅。 如果把CoWoS封装做出来的IC比喻成一栋大楼，把英伟达的GPU比喻成大楼里的工厂，硅中介层的 作用，就像是大楼的楼板，除了承载英伟达的GPU，还可以串连旁边的高性能记忆体，让资料可以在 GPU和记忆体之间快速移动。目前，一块硅中介层里 ...