半导体设备产业挑战 - 加工微观纳米结构接近物理极限 需集成50多个学科知识和技术 难度超过两弹一星 [1] - 纳米级加工需达到原子水平的均一性 稳定性 重复性 可靠性和洁净性 [1] - 设备开发成功需在大生产线实现稳定高合格率 样机开发仅是一小部分 [1] - 市场被国际大公司垄断 生产线准入门槛极高且耗时耗力 [1] - 需完整知识产权保证体系支撑设备开发和市场化 [1] - 研发经费需求巨大 达设备售价的10倍 30倍甚至100倍 [1] - 依赖完整材料和零部件产业链 关键部件需国内外一流供应商 [1] - 市场周期性波动远高于微观器件产业和传统产业 难以预测 [1] - 行业竞争要求设备提高输出量并降低价格 新公司盈利面临挑战 [1] - 国际形势下需实现设备自立自强并打入国际市场 形成双循环 [1] 数码产业层次结构 - 半导体设备年产值约1000亿美元 是数码产业基石和卡脖子关键产业 [1] - 软件/网络/电商/传媒/大数据/AI/VR/元宇宙/ChatGPT/自动驾驶年产值约20万亿美元 [1] - 电子系统年产值约3万亿美元 半导体芯片制造年产值约1万亿美元 [1] 技术发展历程 - 60年间微观器件加工面积缩小一万亿倍 智能手机相当于50年前5层大楼体积的1/100万 [2] - 等离子刻蚀可在头发丝几千分之一至一万分之一尺度加工 孔直径均匀性达头发丝1/10万 [3] - 单台刻蚀机年加工超10^12(百万万亿)个细深接触孔 合格率需近100% [3] 芯片制造投资回报 - 先进芯片生产线需100亿美元投资 包含10大类300多种细分设备共3000多台 [2] - 设备采购占总投资70%约70亿美元 [2] - 100亿美元投资生产线年芯片产出价值25亿美元 正常P/S为3:1时市值约75亿美元 [2] - 全部股本金投资无回报 需约50%银行贷款才可使股本金获得约2倍回报 [2] 技术跨学科特性 - 半导体芯片加工工艺涉及50多种科学技术及工程领域 包括物理化学数学及特种工程技术 [3] 3D结构技术变革 - 存储器件从2D向3D结构转变 使等离子刻蚀和薄膜成为最关键加工步骤 [3] - 3D器件转换后不再需要EUV光刻机 主要依赖刻蚀和薄膜设备 [3] - 14纳米以下结构主要靠等离子刻蚀和薄膜设备的多重模板技术 [4] - 通过多重模板技术可刻出光刻尺度1/2至1/4的微观结构 [4] 行业恶性竞争现象 - 通过窃取设计图纸 工艺配方或软件编码复制设备 [4] - 对竞争者设备进行现场解剖和反向工程复制 [4] - 无视专利保护 采用竞争者专利技术开发设备 [4] - 芯片制造商向竞争者泄露设备设计细节和运营经验 [4] - 高薪挖角竞争者和客户的关键员工 搅乱人力市场 [4] - 员工离职携带技术资料到新公司直接使用 [4] - 投资商投资同类设备公司与原被投公司竞争 [4] - 设备商投资零部件供应商时提出霸王条款限制竞争 [4] - 在客户端和公开场合贬低竞争者散布不利言论 [4] - 芯片制造公司垂直整合设备及零部件业务导致垄断 [4] 产业发展建议 - 国内已有近30家15年经验的成熟设备公司 及数十家刻蚀/薄膜/量检测新公司 [4] - 建议地方政府和投资机构审慎投资新小设备公司 鼓励与成熟公司合作减少内耗 [4] 中微公司概况 - 2004年开曼注册 2018年拆红筹后注册于上海 [5] - 2025年6月底员工2638人 93%为国内员工 人均确认销售超400万人民币 [5] - 在台湾 韩国 日本 东南亚及美国设6个全资子公司 全球20个销售服务中心 [5] - 2019年7月22日科创板首批上市 为首家市值破千亿公司(代码:688012) [5] - 近期市值约1300亿元人民币 [5] 设备市场覆盖 - 2022-2027年刻蚀设备市场增长23% 薄膜设备增长22% 量检测设备增长20% [5] - 2023年中微实现刻蚀设备全面覆盖 薄膜设备扩大覆盖 量检测设备全面布局 湿法设备正在布局 [5] 公司成长表现 - 14年保持营业收入年均增长超35% 2025年上半年增长43.9% [6] 研发投入强度 - 研发投入持续增加 2018-2022年研发支出分别为10.4亿 10.6亿 12.0亿 11.2亿 12.8亿元人民币 [8] - 研发投入占比远高于科创板平均值 [8] - 新产品研发周期从3-5年缩短至2年或更短 [8] - 加速研发美日受限设备以补短板实现赶超 [8] 产品技术体系 - 开发CCP和ICP单台机及双台机 共20种3代机型包括Twin Star/D-RIE/TSV系列等 [8] - 2024年ICP刻蚀在线宽均匀性上达到1σ=0.12nm 相当于硅原子直径(0.25nm)的一半 [8] - DRAM BW AIO刻蚀均值16.1nm 3σ均匀性达0.35nm [8]