来 源 ：内容 编译自 biz.chosun 。 有分析预计，明年通用DRAM和NAND Flash将出现供应不足，从而带动价格上涨。这是因为三星 电子、SK海力士、美光等企业正集中扩大高带宽存储器（HBM）的产能，以应对人工智能（AI） 产业的快速增长需求。同时，NAND Flash方面，随着AI数据中心对固态硬盘（SSD）的更换需求 增加，供应也难以跟上需求。 据业界16日消息，尽管内存半导体企业正在扩充产能，但预计明年的供应仍无法满足快速增长的 市场需求。IM证券预计，与今年相比，明年DRAM产能（Capex）增幅为13.5%，NAND Flash为 13.9%；而同期需求增幅则分别达到13.7%和14%。未来资产证券则认为，DRAM和NAND Flash 的需求明年将分别增长12%和18%，但产能增幅仅为6.5%和0.6%。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ SK证券研究员韩东熙指出："HDD市场已重组为由希捷和西部数据主导的供应格局，考虑到与客 户的长期供货合同，短期内供应条件难以发生变化。" 未来资产证券研究员金永健表示："受制于内存半导体厂商有限的供应能力，预计明年存储芯片价 格将会上涨 ...