众所周知，当今几乎所有芯片都是使用光刻技术打造。而最先进的芯片则是基于 EUV 光刻， 其工作波长为 13.5 nm，可以产生小至 13nm（0.33 数值孔径的Low NA EUV）、8nm（ 0.55 NA 的High NA EUV），甚至 4nm ~ 5nm（ 0.7 – 0.75 NA 的Hyper NA EUV）的特 征，但代价是光刻系统极其复杂，具有非常先进的光学元件，耗资数亿美元。 于是研究人员正在寻找更好的方法，"Beyond-EUV"就成为了不少厂商研究的方向。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 据《Cosmos》援引《自然》杂志发表的一篇论文报道，约翰霍普金斯大学的研究人员公布了一种 新的芯片制造方法，该方法使用波长为 6.5nm ~ 6.7nm 的激光（也称为Soft X ray），可以将光 刻工具的分辨率提高到 5nm 及以下。 首先，虽然 6.7 nm 的反射率仅略低于 13.5 nm（61% vs 70%），但应该记住，EUV 光在到达晶 圆之前需要反射 11 次，这意味着任何轻微的缺点都会乘以 11。如果你算一下，6.7 nm 的透射效 率只有 13.5 nm 的四分之一 ...