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芯片狂潮向内存蔓延,大摩:NAND好于DRAM,存在显著上涨潜力

摩根士丹利发布研报指出,AI驱动的芯片投资狂潮正从GPU向内存领域蔓延。研报强调当前市场正处于周期性转向的关键节点,预计2026年将 出现内存价格双底探底后的复苏周期。摩根士丹利认为,与市场普遍关注的DRAM和HBM相比,NAND市场因其供需格局的急剧扭转,展现出更 显著的上涨潜力。 AI引发的芯片狂热正从GPU等逻辑芯片,迅速蔓延至内存领域。摩根士丹利认为,内存市场,特别是闪存(NAND),正处于一个持久上升周 期的"早期阶段"。 受AI数据中心推升的存储器强劲需求,三星本周大幅上调内存和闪存产品价格,DRAM内存产品涨幅高达30%,交期也从单月延长至半年以 上。美光、闪迪等竞争对手同步跟进涨价措施。 据硬AI,摩根士丹利同日发布研报指出,AI驱动的芯片投资狂潮正从GPU向内存领域蔓延。研报强调 当前市场正处于周期性转向的关键节点, 预计2026年将出现内存价格双底探底后的复苏周期。 摩根士丹利认为, 与市场普遍关注的DRAM内存和机械硬盘相比,闪存市场因其供需格局的急剧扭转,展现出更显著的上涨潜力。 因此研报强调投资者应 重点关注纯闪存制造商如铠侠(KIOXIA)和闪迪(SanDisk),以及三星、SK海 ...