美光科技业绩与HBM进展 - 本季度营收为113.2亿美元，上一季度为93.0亿美元；全年营收从251.1亿美元增长至373.8亿美元 [2] - HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM的总收入达到100亿美元，较2024财年增长五倍；人工智能对HBM的需求支撑了公司本财年近50%的收入增长 [2] - 来自HBM的营收增长至近20亿美元，年化运营率接近80亿美元，得益于HBM3E产品的增长 [3] - 公司已向客户交付HBM4样品，实现业界领先的11Gbps速度和超过2.8 TB/s的带宽 [3][4] - 与几乎所有客户已就2026年HBM3E的绝大部分供应达成定价协议，并正就HBM4的规格和供应量进行磋商 [3] - 预计到2026年，HBM市场规模将达到500亿至600亿美元，公司希望获得22.5%份额，即125.8亿美元；到2030年，HBM潜在市场总额预计达到1000亿美元 [5] - 公司有六家HBM客户，HBM份额有望再次增长，并与今年第三季度的整体DRAM份额（约22.5%）保持一致 [4] 三星电子HBM市场动态 - 第二季度在全球高带宽内存芯片市场的排名下滑至第三位，市场份额为17%，低于美光科技的21% [7][9] - 公司12层HBM3E产品此前未通过英伟达质量测试，但目前已获得认证，可以开始出货 [9][10] - HBM3内存预计将很快应用于Nvidia DGX B300显卡，HBM3E芯片已为AMD Instinct MI350显卡销售 [10] - 公司已完成HBM4的开发并向主要客户发送样品，预计最早于年底实现量产；HBM4样品已通过NVIDIA可靠性测试 [11][12] - 公司HBM4通过提高单元集成密度，能效提高40%，数据处理速度据称可达11Gbps [12] - Counterpoint预测，明年公司在HBM市场的份额将超过30% [12] - 公司预计今年第三季度营业利润将在一年左右时间里首次突破10万亿韩元 [12] SK海力士HBM市场领导地位 - 公司在HBM市场的市占率高达62%，帮助其反超三星成为全球领先的DRAM龙头 [14] - 计划到2027年再购置约20台EUV光刻机，使现有设备数量翻一番，以支持下一代DRAM和HBM生产 [14] - 已完成HBM4的内部验证和质量保证流程，准备大规模生产；HBM4开发的完成被视为行业新的里程碑 [15] - HBM4标准接口宽度为2048位，每个引脚吞吐量为8Gbps，公司正在实现每个引脚"超过10Gbps"的吞吐量，速度至少提高25% [15] - 公司采用10纳米至10纳米工艺和大规模回流模塑底部填充技术，以帮助降低生产风险 [15] 存储行业市场展望 - 由于供应紧张，主要供应商将先进工艺产能分配给利润更高的服务器DRAM和HBM，限制了PC、移动和消费芯片的产能 [17] - 传统DRAM价格预计将比上一季度上涨8%至13%，如果算上HBM，涨幅可能高达13%至18% [17] - 摩根大通预计，到2027年，HBM将占据DRAM内存市场的43%，这将降低价格波动并提高盈利能力 [17] - 摩根大通将全球存储器半导体总可寻址市场的预期较此前预估上调高达24% [17] - 随着企业固态硬盘的普及，NAND闪存产品价格可能会呈上涨趋势 [17]