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英诺赛科,募资14.5亿

公司融资活动 - 公司拟配售2070万股新H股,配售价为每股75.58港元,较上日收市价82.05港元折让7.9% [1] - 此次配售预计所得款项总额为15.6亿港元,净额为15.5亿港元 [1] - 公司于2024年12月30日完成IPO,募资14.51亿港元 [1] 募集资金用途 - 约31%的资金(4.82亿港元)用于产能扩充及产品持续迭代升级,以满足市场指数级增长需求并生产更高等级产品 [1] - 约24%的资金(3.76亿港元)用于偿还有息负债,以优化资本结构,减轻财务负担 [2] - 约45%的资金(6.91亿港元)用作营运资金及一般公司用途,包括人力资源开支和潜在投资 [2] 公司财务状况 - 截至2025年8月末,公司有息负债为25.76亿港元,资产负债率接近50% [2] 公司市场地位与技术优势 - 以2023年末折算氮化镓分立器件出货量计,公司在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一,市占率达42.4% [2] - 公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业,也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓产品的公司 [2] - 与6英寸技术相比,公司8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能使每晶圆晶粒产出数提升80%,单颗芯片成本降低30% [2] 行业前景 - 预计到2028年,全球氮化镓功率半导体市场规模将达到501亿元人民币,占全球功率半导体市场的10.1% [3] - 相比传统硅材料,氮化镓凭借其性能优势,在电动汽车、数据中心、光伏发电站等领域展现出广阔应用前景 [3]