公司战略与研发投入 - 东电电子在熊本县举行半导体制造设备新研发大楼竣工仪式，旨在研发用于电路线宽达1纳米的新一代半导体技术，以巩固市场主导地位并助力AI性能提升 [1] - 新研发大楼总投资约470亿日元，为四层结构，总建筑面积约2.7万平方米，预计2026年春季启用，其研发能力将是原有水平的四倍 [2] - 公司计划与客户半导体厂商协同合作，在新设施内模拟最新半导体工厂环境，共同进行制程演示、新设备评估及实用化测试 [2] - 东电电子在海外靠近客户工厂的地区设有多个研发中心，并行推进未来10至15年、跨越四代技术的开发，以保持设备被采用的优势地位 [5] 核心产品与技术优势 - 熊本工厂主要研发与制造涂布显影设备，该设备用于在硅晶圆上涂布感光材料，在先进制程领域几乎没有竞争对手，处于事实上的垄断地位 [3] - 公司的涂布显影设备以在高速旋转的晶圆上均匀涂布光刻胶和显影液的技术见长，极高的精度对提升半导体良品率至关重要 [3] - 在半导体制造前段工艺中，公司在成膜、涂布显影、蚀刻和清洗四大核心环节的设备市场份额均居全球前列 [5] - 公司正与荷兰ASML及比利时imec紧密合作，共同突破半导体微缩的物理极限 [4] 行业趋势与技术发展 - 全球最先进半导体制程是台积电计划在2025年量产的2纳米技术，并预计在2028年开始量产1.4纳米芯片 [4] - 业内预计1纳米及以下制程的半导体将在2030年后逐步普及，届时可集成更多晶体管，进一步提升生成式AI的响应速度与自动驾驶精度 [4] - 随着芯片制程日趋复杂，生产过程需使用更多化学药剂，公司计划加强在减少药剂和水使用量、节能降耗等环保技术方面的研发，以降低先进半导体的制造成本 [5] - 在形成电路图形的蚀刻设备领域竞争日趋激烈，公司希望通过强化研发实力稳固涂布显影领域地位并推动蚀刻设备业务反攻 [5][6]