如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 据报道，三星计划从其1d节点直接过渡到9纳米（0a）DRAM工艺，而SK海力士预计也将采取类 似的快速推进策略。随着两家韩国竞争对手加快9纳米开发步伐，美光正在调整其路线图以保持竞 争力。 尽管3D DRAM被广泛认为是存储架构的下一个突破，但在2033年或2034年之前实现量产的可能 性不大。最初的目标是在1c-1d时代开始扩展，实现24至36层堆叠，但由于6F²平面单元设计持续 取得进展，这一时间表被推迟。 专家估计，一旦3D DRAM变得可行，至少需要90至100层堆叠才能实现商业价值。目前，三星、 SK海力士和美光的原型仅限于16至24层。 为弥合这一差距，芯片制造商计划在未来三到四代中使用4F²设计作为过渡解决方案，然后再全面 转向3D DRAM。在半导体术语中，"F"表示最小特征尺寸——F值越小，密度和性能越高。3D DRAM在这一概念上进一步发展，通过垂直堆叠单元来扩展容量，而无需增加芯片面积。 三星、SK海力士和美光都在4F²和3D DRAM研发上进行大量投资。然而，由于技术壁垒高、制造 成本昂贵，转型将是一个渐进的过程。分析人士预计，这种混合路线图将 ...