台积电先进制程技术路线图 - 2纳米工艺预计在2025年底启动全面量产，仍将利用现有的EUV设备并保持较高良率 [1] - 1.4纳米节点计划在2028年左右开始生产，公司已在新竹厂启动研发并采购了30台标准EUV设备 [1] - 1.4纳米工艺基于第二代纳米片全环绕栅极晶体管，在相同功耗下可实现15%的性能提升，或在相同频率下实现25%至30%的功耗降低 [4] - A14相比N2工艺在混合逻辑/SRAM/模拟配置下晶体管密度提升20%，在纯逻辑配置下提升23% [4] - A16工艺本质上是N2P的延伸版本，采用Super Power Rail背面供电网络，计划在2029年推出带SPR的A14后续版本 [5][6] 台积电对High-NA EUV设备的战略选择 - 公司明确表示在A16和A14等下一代制程中不需要使用High-NA EUV设备 [3][4] - 选择不采购单价高达4亿美元的High-NA EUV设备，认为其投入成本与实际价值不成正比，转而采用成本远低的光掩模薄膜方案 [1][2] - 技术团队通过创新方法，使得在1.4纳米节点生产芯片无需使用分辨率为8纳米的High-NA EUV设备 [5] - 公司立场是只有当High-NA能带来有意义、可量化的收益时才会采用，目前重点是延长现有EUV设备使用寿命 [4][6] - 与英特尔计划在2027-2028年引入High-NA EUV不同，台积电至少在2030年前甚至更晚都不会在量产中使用该技术 [6] 次2纳米节点的技术挑战与解决方案 - 推进至1.4纳米和1纳米节点将面临更多技术瓶颈，光掩模薄膜成为防止灰尘污染光刻过程的刚性需求 [1][2] - 使用标准EUV设备生产次2纳米晶圆需要更多次曝光步骤，光罩使用频率大幅上升可能影响良率 [2] - 公司计划投资1.5万亿新台币用于先进制程研发，将采取"试错式"方式逐步提高光掩模薄膜方案的可靠性 [1] - ASML每年仅能生产5至6台High-NA EUV设备，而台积电计划采购30台标准EUV设备以应对苹果等客户的巨大需求 [2]