EUV很难被颠覆,纳米压印也不行
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 大约每隔 6 个月,我们就会看到有关纳米压印光刻颠覆 EUV 的新一轮头条新闻。 这听起来像是个不错的标题党,但事实并非如此。这项技术有很多有趣且有效的应用,但远不及EUV 所能达到的程度。理论上,NIL可以匹敌甚至超越EUV。但实际上,NIL存在一些严重的问题,而且 目前还没有明确的发展方向。 在本文中,我们将从理论层面与晶圆厂实际操作层面解释这些差异。我们还将详细介绍市场中的关键 参与者及其可能的应用场景。首先,我们来了解一下 NIL 的基本概念及其功能: NIL 基础知识和历史 纳米压印光刻技术使用带图案的"印章"在树脂上压印图案。在半导体生产中,它与 ASML 的光刻技 术实现相同的最终目标——将掩模上的图案转移到晶圆上。这些图案只是芯片设计的一层。堆叠 50- 100 层,进行图案化处理,然后在每一层上进行蚀刻和沉积等其他技术,最终构建出完整的芯片。 最有前景的纳米级NIL技术发明于1996年,并于2001年从学术界分离出来,成为一家商业实体,即 Molecular Imprints Inc.(MII)。佳能于2014年收购了MII,并在ASML开始向 ...