公司战略与定位 - 公司拥有超过三十年在铜箔领域的技术积淀，早期以锂电铜箔见长，并占据重要市场份额 [4] - 面对AI产业需求，公司率先推进从传统工业铜箔向高精密电子电路铜箔的战略升级 [4] - 公司的新使命是突破高端电子铜箔的海外技术壁垒，实现国产高端电子铜箔性能比肩国际水平，目标是成为全球电解铜箔领导者 [6] 行业趋势与市场前景 - AI算力爆发对PCB与封装技术提出极高要求，推动上游铜箔材料迭代升级，AI集群中“东西向”流量成为主导，驱动铜箔向低轮廓方向演进 [7] - 2025年全球PCB市场预计迎来12.8%的价值增长，规模达829.87亿美元，AI服务器、高速网络、卫星通信是关键驱动力，至2029年有望突破千亿美元 [7] - 高端PCB需求显著提升，其中18+层多层板价值增速达43%，HDI板2025年价值增速预计达25.6%，先进封装基板预计增长12.8% [7] - HVLP3铜箔已成为AI数据中心PCB主流选择，HVLP4加速量产，预计到2026年HVLP3/4的月需求将超1100吨 [8] 产品矩阵与技术优势 - 公司推出四类主力电子铜箔产品，覆盖AI服务器、先进封装、6G通信等领域对高频高速、低延时、高散热的严苛要求 [9] - NE-RTF系列面向中高端AI设备，NE-RTF3适配PCIe 5.0 AI服务器及英伟达H100等GPU，NE-RTF4面向6G预研设备与封装基板 [10] - NE-HVLP系列瞄准高端AI服务器与先进封装，NE-HVLP3表面粗糙度Rz控制在0.87μm，NE-HVLP4将Rz降至0.52μm，可适配M9等级基板及H200 GPU [10] - NE-VLP厚铜箔厚度覆盖35–420μm，表面粗糙度Rz＜5.1μm，适用于服务器电源模块、新能源汽车三电系统等大电流场景 [10] - 载体可剥离/极薄铜箔铜层厚度可定制（2–5μm），表面粗糙度Rz＜0.4μm，适用于FCBGA封装基板、Chiplet互联等先进封装场景 [11] - 公司产品布局为“量产一代、验证一代、预研一代”，NE-RTF3与NE-HVLP3已规模化量产，NE-RTF4与NE-HVLP4进入客户验证阶段，NE-HVLP5为技术储备 [11] 技术突破与质量体系 - 公司通过低轮廓晶粒控制、纳米铜瘤定向生长等工艺，提升铜箔在高温高频下的界面结合力与抗剥离性能 [16] - 产品经288℃/10s漂锡测试验证，具备优异的耐热性与信号完整性 [17] - 公司构建全维度质量管理体系，配置高端设备实现微米级厚度管控与实时缺陷侦测，保证产品一致性 [22] 产业合作与生态共建 - 公司与宏仁集团、广合科技、恒驰电子签署产业链战略合作协议，强化从研发到量产的全流程协同 [19] - 公司与韩国YMT公司签订载体铜箔技术合作协议，共同推进封装基板用铜箔的技术迭代与国产化进程 [19]