公司业绩表现 - 第三季度合并基准营业利润达到11.3834万亿韩元，同比增长62% [2] - 第三季度销售额达到24.4489万亿韩元，同比增长约39% [2] - 业绩增长得益于AI基础设施投资带来的存储需求激增，以及高附加值产品如HBM3E和服务器用DDR5的销售扩大 [2] - 第四季度DRAM和NAND出货量预计环比增长一位数以上，有望再次刷新历史最高业绩纪录 [3] HBM市场与技术进展 - 公司凭借AI市场需求激增的高带宽内存（HBM）市场主导地位，第三季度刷新历史最高业绩 [1] - 公司已率先完成第6代HBM（HBM4）的供应谈判，计划从今年第四季度起正式出货 [1][2] - 公司已与主要客户完成明年HBM供应协商，HBM4明年计划正式扩大销售 [2] - 公司开发完成并建成HBM4量产体系，满足了英伟达提出的所有性能要求 [1][2] 存储半导体市场展望 - 存储半导体市场已进入超级繁荣期，公司明年的DRAM和NAND闪存供应量已实质售罄 [1][4] - AI数据中心投资扩大，预计DRAM需求增长率将从今年的十几个百分点提升至明年的20%以上，NAND需求增长率预计将从今年的十几个百分点提升至明年的十几个百分点 [4] - 通用存储半导体价格上涨趋势带动第四季度业绩预期，AI服务器和通用服务器扩容将推动存储半导体市场景气度持续向好 [3][4] 产品与技术路线图 - 公司将从明年起正式扩大下一代10纳米级6代（1c，11-12纳米级）DRAM的生产能力 [5] - 1c DRAM今年已启动量产，预计到明年年底该工艺有望占据DRAM总生产能力的一半 [5] - 公司战略是加速向1c DRAM工艺转型，完善服务器、移动、图形等DRAM产品系列以扩大供应 [5]