美光DRAM厂,延期五年

项目延期概况 - 美光公司位于纽约州克莱附近的晶圆厂项目将大幅延期,预计2033年底才能投产,远晚于原计划的2025年[2] - 整个纽约州克莱园区的全面投产时间预计将推迟至2045年,比原计划晚了五年[3] 纽约州晶圆厂具体建设时间表调整 - 根据6月环境影响报告书草案,首座晶圆厂(Fab 1)建设阶段于2026年底启动,持续到2028年下半年或2029年初,预计2030年左右开始DRAM生产,比最初预期晚五年[2] - Fab 2建设开工日期定在2028年下半年,Fab 3在2033年下半年,Fab 4在2039年上半年[3] - 最新环境文件显示,Fab 1的建设周期从三年延长至约四年,竣工时间从2028年下半年推迟至2030年底[6] 爱达荷州项目优先级调整 - 美光公司正在加快爱达荷州晶圆厂的建设,并将《芯片法案》的资金重新分配给该工厂[2] - 爱达荷州的两座工厂将先于纽约州克莱县的工厂完工,表明公司对项目优先级进行了战略性调整[7] 项目延期影响与进展 - 项目延期将对纽约州重要的半导体生产集群造成重大影响[2] - 新的建设方案已获得奥农达加县工业发展局批准,场地准备工作可以继续进行[6] - 美光公司对其与美国商务部签署的61亿美元《芯片法案》融资协议进行了修订,将纽约的投产时间延长约两年[7]