三星电子1c DRAM扩产计划 - 公司计划在明年底前将10纳米级第六代DRAM（1c DRAM）月产能扩大至20万片，远高于当前水平 [2] - 扩产分阶段进行：今年第4季达到月产6万片，明年第2季新增8万片，明年第4季再扩增6万片，目标各阶段具备立即量产条件 [2] - 1c DRAM线宽低于11纳米，搭载多层EUV制程，是公司主攻的高阶记忆体产品 [2] - 此次扩产后，1c DRAM产能将占公司整体DRAM月产能（65-70万片）约三分之一，规模超越2022年半导体景气高峰期新增的13万片扩建量 [2] - 扩产将通过既有产线制程转换及平泽P4新厂投资完成 [2] 扩产背景与战略意图 - 人工智能推升DRAM需求全面走强，HBM供应吃紧，一般DRAM也呈现缺货，出现提前下单抢料情况 [3] - 公司在成功开发1c DRAM后决定加大投入，旨在以具竞争力的产品组合在下一波DRAM周期中抢占定价权 [3] - 公司宣布未来五年将投入4,500兆韩元于先进制程与产能建置，以应对AI时代大幅提升的记忆体中长期需求 [3] - 扩产意在提前卡位下一代市场，并关注能否在下一轮需求周期中提升DRAM市场占比，缩小与竞争对手的差距 [3] 第三季度DRAM市场表现 - 公司在第三季度重夺全球DRAM市场销售第一，销售额环比增长29.6%，达到139.42亿美元，市场份额为34.8% [4][5] - 主要得益于高带宽内存（HBM）出货量增长以及通用DRAM产品价格上涨 [3][5] - 竞争对手SK海力士第三季度销售额为137.9亿美元，市场份额34.4%，双方差距仅0.4个百分点；美光科技销售额89.84亿美元，市场份额22.4% [5] - 公司第三季度HBM位单元出货量较上一季度激增85%，主要归功于开始向NVIDIA交付第五代HBM3E [5] 整体记忆体市场趋势 - 第三季度全球DRAM市场总销售额达到400.37亿美元，环比增长24.7%，同比增幅高达54%，创历史新高 [5] - NAND闪存市场销售额为184.22亿美元，环比增长16.8% [5] - 公司在NAND闪存市场以53.66亿美元的销售额和29.1%的市场份额保持领先地位 [6] - 预计存储器市场繁荣势头将在第四季度延续，因供应持续短缺且供应商库存水平较低，价格将保持强势，市场规模有望再创新高 [6]